量子力学第三节、紧束缚近似.ppt

第三节、紧束缚近似 一、紧束缚近似 1、处理方法 假设有N个相同的原子，分别处在晶格常数足够大的晶格的格点上。由于原点之间彼此相距足够远，相邻两原子中的电子波函数（或电子对）彼此交叠甚微。晶体中电子的能量状态与完全孤立原子中电子态差别甚小。但由于电子态有微弱的交叠，因而电子有一定的几率从一个转移到相邻的另一个原子中去. 2、哈密顿算符 在紧束缚近似下，晶体中一个电子的势能包括原子势能Vc和其它原子形成的微扰势Vc： 3、波函数 波函数为原子轨道的线性组合(LCAO)： 系数 二、紧束缚近似下晶体中电子能量Es（k）的计算 将上述波函数带入薛定谔方程： 孤立原子波函数是归一化的，因而 于是，方程的左侧成为ES(k)-Esa 方程的右侧分为Rn=0和Rn≠0两项 令 它是电子处在?sa(r)态时，由微扰势VC(r)引起的静电势能，且大于零. 令 它是Rn=0和Rn≠0处两个孤立原子中电子波函数相对微扰势VC(r-Rn)的重叠积分，大于零 （1）相邻原子间波函数重叠很小，除了近邻以外，B（Rn）可以认为是零 （2）由于S态波函数具有球对称性，所以B（Rn）与Rn无关 三、能带计算的例子 1、面心立方晶格 图6-22 由于面心立方晶格的配位数是12，因而最近邻原子数为12 2、将12个原子的坐标Rn值带入上面的E~K关系式中： 3、求极值 当k=0（在布里渊区中心），能量有最小值：Emin=Esa-A-12B 当k在布里渊区边界的小正方面的对角线上时（例如kx=2?/a、ky=0、kz任意值），能量有极大值：Emax=Esa-A+4B 4 、整个能带的宽度?E=Emax-Emin=16B 四、关于能带的讨论 1、能带的宽度与重叠积分的大小成正比。由 可知，宽度不仅与微扰势Vc有关，而且与相邻原子波函数?sa的交叠程度有关。 2、由孤立原子能级到晶体能带这一转化过程，实际上是量子力学测不准关系所制约的结果。当原子相互靠近形成晶体时，电子有一定的几率通过隧道效应从一个原子转移到另一个相邻的原子中去。它在给定原子附近停留时间t与能级的展宽?E之间有测不准关系：t ?E~?。所以电子在给定原子附近停留时间的减少导致能级的展宽，从而形成能带。 3、晶体能带与孤立原子能级的关系 原则上讲，孤立原子中电子的每一个状态的能量在形成晶体后都要分裂成一个能带，即一个孤立的电子态对应一个能带。 图6-24 由孤立原子能级分裂形成的能带称为子能带 如果两个以上的子能带 相互交叠，则形成一个混合能带 如果能带之间没有发生交叠，就有能隙存在。 能隙就是能级分裂成能带之后余下的部分 4、近自由电子近似与紧束缚近似的适用范围 近自由电子近似适用于金属的价电子 紧束缚近似适用于绝缘体、半导体、金属的内层电子及过渡金属的d电子。 第四节、实际的能带结构 晶体实际的能带结构，通过理论计算与实验相结合而得到 能带的计算 能带的简并 对于某一给定的波矢k，两个或两个以上的子能带的能量相等,于是这些子能带在k处简并。 一、半导体Ge、Si等的能带结构 1、能带 结构 对于自由电子，在布里渊区中心?点，非简并的?1态对应波矢为零，能量为零。8度简并的能级( ?1 ?`2 ?15 ?`25)对应的波矢为 在锗和硅中，8度简并能级分裂成四个： ?`25和?15 都是3度简并的, ?1 和?`2是非简并的。 当离开?点，简并度下降，能级分裂。例如 ?`25分裂为?`2和?5， ?`25的简并度等于?`2和?5简并度之和。 在锗、硅能带结构中，下面的四个子能带与上面的能带之间有一禁带存在。 （1）下面四个子能 带形成的带称为 价带 （2）上面的带称 为导带 2、从紧束缚近似的观点来看，价带中的四个子能带是由s、px、py、pz态经杂化后形成的。 3、间接禁带半导体与直接禁带半导体 锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心的?点，导带底Ec分别位于L点和?轴上，即导带底与价带顶的能量对应的波矢量不同。称这种半导体为间接禁带半导体 砷化镓的导带底与价带顶都位