n型金属氧化物气敏元件的反应温变.pdf

维普资讯 2000年 4月 山 东 工 业 大 学 学 报 Vo】．30 No．2 第 3o卷 第 2期 JOURNALOFSHANDONGUNIVERSITY OFTECHNOLOGY Apr． 2000 l} 一 n型金属氧化物气敏元件的反应温变 李宇兵 刘晓健 张宝才 李 蕾 刘文利 — 】，东 理 系 济南 250061) 摘 要 提 出1一种研 究气敏元件和材料反应温变的方法和实验 装置 {给 出7反应温 变 随 气体浓度 C变化 的规律 ；给 出 了反应放热率 ，J叫与反应温变 的关系式 ．讨论 1表面反应速率方程 ，气体分子表面反应几率等问题 、 关键词 气敏元件}反应速度；灵敏度 ／反应温变；反应几率 {1 中圉分类号 TN304·92 1^／弓7 0 前 言 ‘ 半 导体的电导气敏效应和晶体管效应是一同时代被 同一学派 (J．Bardeen)发现的 ．然 而金属氧化物的电导气敏效应虽然经过几十年开发 ，但 目前这类气敏元件世界年产量未超 过 10量级 ，流行于市场的仍然是 TGS型元件，先进的微型薄膜传感器无流行商品 ．这与 半导体晶体管效应的开发已出现几代集成电路相 比，差距太大了 ． 与晶体管相 比，金属氧化物气敏器件 ，第一是多孔的多晶元件 ．第二是带有加热器的高 温 (1OOt500℃)元件 ，第三是暴露于大气才能工作的 “暴露”元件，第四是基本上可 同时对几 种还原气体反应的 多敏”元件 ．于是材料的老化和污染、界面的热配台、以及环境变化的影 响是不能绝对避免的；也就是说 ，金属氧化物气敏传感器的可靠性 (包括稳定性和选择性 ，而 主要是稳定性)不可能绝对解决 ．这就是前进的障碍 ． 但是，没有绝对的稳定性和选择性 ．不等于不能设法消除，更不是说不能进行改善 ．问 收稿 日期 ：1999—12—17 * 山东省 自然科学基金资助项 目 ① 山东工业大学华天公司 ② 济南半 导体研究所 ’ 作者简介 李宇兵 ，I960年 2月生 ，副研究员 ．1982年在山东工业大 学物理专业 毕业，]996年获大连 理工大学工商管理硕士学位 ．1996年参加薄膜功能材料和元件研 究，发表有关论文 4篇 ．刘 晓健 ，1964年 1月生，高级工程师 ，济南半导体研究所长 ．1984年在山东工业大学半导体专业毕业 ．从事半导体元件和 微 电子工艺研究，曾获济南市科技进步三等奖 ，1998年评为济南市优秀斟技工作者 ．发表有关论文 4篇 · 张宝才，1965年 1月生 ，高级工程师 ，济南半导体研究所副所长 ．1986年在 山东工业大学半导体专业毕业， 从事半导体元件和微电子工艺研究 ．I998年莸省科技进步一等奖 ．发表有关论文 7篇 ．李 营，1957年 生．副教授 ．1982年在 山求工业大学物理系专业毕业 ．1990年开始研究薄膜电子功能材料和元件研究，发 表有关论文 I5篇 ．刘文利 1959年8月生 ，副教授 ．1982年在海洋t学物理 系毕业 1988年获固体物理硕 士学位 ，从事薄膜 电子功能材 q元件研究 ，曾获山求省优秀论文 等嬖 斟技进步三等奖，发表有关论 屯 约 3O篇 ． 维普资讯 山 东 工 业 大 学 学 报 题 的关键在于不仅要改变过去 20多年来偏重于 “反复试验 ”的技术研究路线，而代之 以技术 研究和学术研究相结合，物理与化学相结合的途径．而且通过学术研究建立和发展适 合于多 晶多孔气敏材料特点的显微物理化学 ． 本文的第 1部分 ，介绍了测量反应温变的实验方法和装置，分析 了这 一装置的测温精 度；给出了反应温变 随气体浓度 c变化的规律 一( )／(1+BC )( ，BI0；” O)以及