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场效应管FET 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构 及符号 图1 增强型MOS管结构及符号图 2、工作原理 (3) 特性曲线 二、 耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 三、 场效应管的主要参数 四、 场效应管的检测及使用注意事项 1 、 场效应管的检测 （1）．管脚的判别 （2）．质量判定 2 场效应管使用注意事项 1、??? MOS管栅、源极之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄放，因极间电容很小，帮会造成电压过高使绝缘层击穿。因此，保存MOS管应使三个电极短接，避免栅极悬空。焊接时，电烙铁的外壳应良好地接地，或烧热电烙铁后切断电源再焊。 2、??? 有些场效应晶体管将衬底引出，故有4个管脚，这种管子漏极与源极可互换使用。但有些场效应晶体管在内部已将衬底与源极接在一起，只引出3个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。 3、??? 使用场效应管时各极必须加正确的工作电压。 4、??? 在使用场效应管时，要注意漏、源电压、漏源电流及耗散功率等，不要超过规定的最大允许值。 * * g 衬底引线 d g s SiO2 ? ? ? P型硅衬底 N N d s d s g 一、 绝缘栅型场效应管 s iD UDD UGG d g P型硅衬底 N N 图2 N沟道增强型MOS管工作原理 2 4 6 8 4 3 2 1 0 iD/mA uGS/V UGS(th)=3V uDS=10V 2 4 6 8 10 12 14 16 18 6V 3V 5V uDS/V iD/mA 5 4 3 2 1 0 (a) 转移特性 （b）输出特性 图3 N沟道增强型场效应管特性曲线 衬底引线 d g s P型硅衬底 N N d s g d s g （a）N沟道结构图 (b)N沟道符号 (c)P沟道符号 图4 耗尽型MOS管结构及符号图 uDS/V 2 4 6 8 10 12 14 16 -5 -4 -3 -2 -1 0 -3V 1V －1V －2V iD/mA 12 10 8 6 4 2 0 0V uGS＝2V UGS(off) IDSS 12 10 8 6 4 2 uGS/V iD/mA uDS=常数 （a）转移特性 （b）输出特性 图5 N沟道耗尽型场效应管特性曲线 1、? 夹断电压UGS(off)：实质上是使iD＝0时所需的uGS值。 2、? 饱和漏电流IDSS 在uGS＝0的情况下，当uDS |VP|时的漏极电流称为饱和漏电流，通常令uDS=10V，uGS＝0V时测出的iD就是IDSS。 3 低频互导（跨导）gm 4 最大耗散功率PDM *
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