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传感器技术 Journal of Tran sducer Technology 2005年 第 24 卷 第 8期
36
CMOS红外传感器的模型研究
1 2 1
梁 振 , 于峰崎 , 程 勇
( 1. 山东科技大学 信息学院 ,山东 青岛 266000;
2. 苏州中科集成电路设计中心 RF项 目部 ,江苏 苏州 215021)
摘 要 : 对基于标准 CMO S工艺的二极管型红外传感器进行物理建模和理论推导 ,并对所建模型进行了
仿真 。该红外传感器利用二极管两端的电压随温度变化特性来感测红外线 。从电流与温度变化的关系着
手 ,推导出电压与温度变化关系 ,对红外传感器的一些重要参量进行了讨论 。仿真结果表明:所建模型基
本与实验结果相符 。
关键词 : 红外传感器 ; 二极管 ; 理论模型
中图分类号 : TN 40 1 文献标识码 : A 文章编号 : 1000 - 9787 (2005) 08 - 0036 - 03
Research on CMO S infrared sen sor m odel
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L IAN G Zhen , YU Fengq i , CH EN G Yong
( 1. Coll of Info Shandon g Un iversity of Sc ience and Techn ology, Q in gdao 266000, Ch ina;
2. RF D epartm en t, Suzhou CA S In tegra ted C ircu it D esign Cen ter, Suzhou 215021, Ch ina)
+
A b stract: A n infrared sen sor ba sed on a su sp ended p active / nwell diode fabricated in a standard CMO S
p rocess is studied. Its theoretical model is bu ilt and sim u lated. The infrared sen sor detects the infrared light by
m ea suring the diode junction voltage wh ich varie s w ith temp erature. Starting w ith the relation sh ip between electric
cu rrent and temp eratu re change, the relation sh ip of vo ltage and temp eratu re is deduced. A lso som e importan t
p aram eters of the infrared senor are studied. Sim u lation resu lts show that the model agree s w ith exp erim
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