CMOS射频低噪声放大器的设计.pdfVIP

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2017-09-30 发布于福建
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CMOS射频低噪声放大器的设计.pdf

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第 28 卷　第 3 期电　子　器　件 V o l28 N o. 3 　 2005 年 9 月 Ch inese Jou rnal of E lectron D evices 　 Sep. 2005 　　　　　　 D esign of CMOS RF L NA , W A N G L ei YU N ing m ei ( , , ’ 710048, ) D ep artm ent of E lectrical eng ineering X i ’an U niversity of T echnology X i an Ch ina : , Abstract O n discu ssing CM O S R F LNA perfo rm ance of gain no ise figu re and linear degree and analysing . 3. 8 the m ethod to im p rove the com p rehen sive perfo rm ance A design p lan of a GH z CM O S LNA w as im 0. 25 . p lem en ted in the u se of SM IC m CM O S p rocess database T he sim u lation resu lts by H SP ICE indi cate: pow er gain is 13. 48 dB , the no ise figu re 2. 9 dB , pow er dissipation 46. 41 mW and the inpu t and ou t . pu t im pedences m atch w ell : ; ; ( ) Keywords CM O S techno logy CM O S R F IC CM O S R F LNA L ow N o ise Am p lifier EEACC: 1220 CMO S 射频低噪声放大器的设计王　磊, 余宁梅 (西安理工大学电子工程系, 西安 710048) 摘　要: 讨论了CM O S 射频低噪声放大器的相关设计问题, 对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析, 并综述了几种提高其综合性能指标的方法。在此基础上, 采用 SM IC 0. 25 m CM O S 工艺库, 给出了 3. 8 GH z CM O S LNA 的设计方案。H SP ICE 仿真结果表明: 电路的功率增益为 13. 48dB , 输入、输出匹配良好,