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半導體製造技術第 6 章半導體製造廠之污染控制 課程大綱 描述無塵室之5種污染源形式，並討論每種污染源衍生之問題。 列出7項污染物之來源，並敘述其如何影響晶圓之潔淨度。 描述無塵室之潔淨等級。 說明與討論無塵室內工作人員所需遵守的7項工作程序。 敘述無塵室內之過濾器、靜電放電、超純淨DI水、製程氣體。 說明近代工作站之設計且討論迷你環境如何改善污染。 敘述兩種標準濕式清潔液與其所去除之污染物，討論取代濕式清潔法之可行方案。 說明濕式清潔法所使用之設備與其作用。 晶圓污染物 晶圓廠的無塵室 無塵室之污染源 微粒 金屬雜質 有機污染物 原生氧化物 靜電放電 (ESD) 微粒的相對大小 微粒造成的缺陷 人類頭髮對0.18?m微粒的相對大小 晶圓的每片晶圓通過增加之微粒數 典型的金屬雜質元素 移動性離子污染物改變臨界電壓 原生氧化層 被帶電晶圓吸引的微粒 污染的來源與控制 於晶圓廠內之7種污染來源如下: 空氣 人體 廠區 水 製程化學 製程氣體 生產設備 聯邦標準209E：空中傳播的微粒潔淨度等級 人活動所做出的微粒 穿著無塵衣之技術員 無塵室服裝系統必須發揮下列各項指標功用： 服裝內之所有污染物必須完全隔離於無塵室 不得釋放微粒 不得存在靜電荷 不得排放化學性或生物性碎渣 適當的無塵室規定 控制消除無塵室內之微粒 無塵室本體之微粒需消除。 避免因設備、工具、人員與相關原料供應時，將微粒引入無塵室內。 即時監控無塵室內微粒數目，以維持潔淨度。 設備廠區 無塵室之規劃 氣流原則 空氣過濾 溫度與濕度 靜電放電 早期無塵室的規劃 無塵室設計分布 層流 晶圓廠空氣處理系統 高效率微粒空氣過濾器 以離子化空氣中和晶圓表面上的靜電荷 晶圓廠的水 DI水系統 去離子 DI水的過濾 界達電位 細菌控制 超純去離子水內不可包含的污染物 溶解之離子 有機材料 微粒 細菌 矽土 溶解之氧氣 水中的微粒大小 去離子水的初級和精緻過濾循環 逆滲透過濾原理 薄膜接觸式過濾器 採用界達電位原理的靜電過濾器 製程化學 過濾器種類 製程氣體 生產設備 微粒污染源 工作站設計 隔板安裝 晶圓操作 迷你環境 過濾器種類 微粒過濾器：如圖6.19之深處過濾器，可過濾之微粒為1.5?m及以上。 微過濾器：薄膜過濾器可將液體中之微粒移除，可過濾之微粒範圍為0.1至1.5?m。 超過濾器：加壓之薄膜式過濾器可阻絕之微粒範圍為0.005至0.1?m。 逆滲透：又稱為超級過濾器，主要是以加壓方式將溶液通過半滲透薄膜，可阻絕微粒與金屬離子，所隔絕微粒之大小可至0.005?m。 深處過濾器 薄膜過濾器 生產設備之微粒污染源 殘留於反應室內壁縫隙間之薄膜，其主要係由反應過程所產生之副產物所構成。 自動晶圓處理與傳送系統。 機械操作如：偏移旋轉或閥之開、關。 真空環境之抽氣與排氣。 清潔與維護程序。 晶圓表面微粒和製程步驟的關係 隔板安裝 晶圓匣 靜電晶圓平盤 微環境定理 隔板安裝之SMIF晶圓盒 晶圓的濕式清潔法 濕式清潔法概要 濕式清潔法設備 其他之清潔法 晶圓濕式清潔法 RCA 清潔 標準清潔液 1 (SC-1) 標準清潔液 2 (SC-2) 改良式 RCA清潔 Piranha混合溶液 最後步驟的氫氟酸 化學氣相清潔 晶圓清潔步驟 晶圓濕式清潔的化學藥品 在SC-1中微粒的氧化作用與溶解度 透過負電荷排斥作用去除微粒 典型的晶片濕式清潔順序 濕式清潔法設備 超高頻音波 噴灑式清潔 刷洗 晶圓沖洗 溢流沖洗 傾倒沖洗 噴灑式沖洗 熱DI水沖洗 晶圓乾燥 旋轉乾燥器 IPA氣相乾燥 超高頻音波清潔 用於晶片清洗的噴灑工具 晶圓刷洗 溢流沖洗 傾倒沖洗 其他之清潔法 乾式清潔 以電漿為基礎之乾式清潔 螯合劑 臭氧 低溫噴霧清潔 純水 加壓的水+氣體 疏水的中空纖維微多孔性薄膜堵住水，但允許較小氣體分子通過 外罩 水入口 氣體出口 氣體入口 加壓的 鈍態氣體 水出口 圖 6.17 純水 經過加壓的 含有微粒之水 入口 在過濾薄膜之負電荷 在過濾薄膜之正電荷 圖 6.18 出口 過濾工具 入口 遮幕 (Used with permission of International SEMATECH) 圖 6.19 出口 薄膜 入口 密封墊圈 (Used with permission of International SEMATECH) 圖 6.20 清潔 清潔 清潔 清潔 製程步驟的次數 圖 6.21 微粒數量 圖 6.22 製造