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第六篇习题-金属和半导体接触 刘诺 编 6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 6-2、什么是Schottky势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？ 6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。 6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 6-5、施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。 6-6、分别分析n型和p型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。 6-7、试分别画出n型和p型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。 6-8、什么是少数载流子注入效应？ 6-9、某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？ 6-10、试根据能带图定性分析金属-n型半导体形成良好欧姆接触的原因。 第六篇 题解-金属和半导体接触 刘诺 编 6-1、答：功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。 接触势则是指两种不同的材料由于接触而产生的接触电势差。 6-2、答：金属与n型半导体接触形成阻挡层，其势垒厚度随