第一章 微电子技术中图形加工的方法.pptVIP

第一章 微电子技术中图形加工的一般方法 在半导体发展的早期，首先使用的半导体材料是锗，但它很快被硅取代了。因为硅在大气中氧化可以形成一层结力很强的透明的氧化硅(SiO2)薄膜，它可作硅表面的保护层；电路间的绝缘介质，以及作杂质扩散的掩蔽膜。砷化镓具有很高的迁移率，是一种重要的半导体材料。但由于砷化镓在生长大的单晶和形成绝缘层方面还存在某些技术问题，因此在目前的微电子学中占统治地位的半导体材料仍然是硅。 第一节 制造微细图形的要求 平面工艺是微细加工发展中的一个非常重要的工序，其基本制作工艺是在不同电特性的薄膜材料上加工所需要的图形。每层薄膜上先形成晶体管、电容器和整流器等元件，最后将它们连接在一起，构成了集成电路(IC)。 每层薄膜有不同的电特性，可通过改变基片的性质而得到，如掺杂和氧化，但也可以用蒸发和溅射的方法，在基片上沉积一层薄膜。通过光刻的方法产生所需要的图形，即把设计好的图形投影到涂有光刻胶的表面层上，使被曝光部分的光刻胶变成坚硬的抗蚀剂层，而未被曝光的光刻胶则在某一溶剂中被溶解。 第二节 外 延 “外延” 是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。新单晶层的晶向取决于衬底(基片)，并由衬底向外延伸而成，故名“外延层”。外延生长之所以重要，在于外延层中杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。薄膜的掺杂可以是n型或p型。目前流行的外延生长工艺有三种：气相(VPE)、液相(LPE)和分子束外延(MBE)。 硅气相外延生长系统 图2—2(b)表示外延膜的生长速率与气体中SiCl4 浓度的关系。浓度定义为SiCl4 分子数与气体总分子数之比。由图可见，生长速率达到最大值后，随着SiCl4的浓度增加而减少。这一现象是化学反应引起的，即SiCl4 十Si(固)→2SiCl2；因此，当SiCl4 浓度较高时就可能发生硅的刻蚀。 在流动气体中引入杂质原子可生长掺杂的外延层，n型掺杂使用PH3(磷烷)，F型掺杂使用B2H3(乙硼烷)。 四种不同外延层液相(LPE)生长装置 分子束外延 MBE的一个显著特点是生长速率低，大约为1μm／h或单分子层／s，因此基片上的分子束流可以容易地用单分子层的数量调节。光栏的操作速度小于1s。在外延生长技术中，分子束外延使微细加工在结构清晰度方面，几乎提高了两个数量级。 MBE一直被用来制备各种GaAs和AlxGa1-xAs器件薄膜和膜层结构，如电容电压可急剧变化的高可控的变容二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管、微波混合二极管、肖特基层场效应晶体管、光波导、集成光学结构等；对微波、光学固体器件及亚微米层结构电路等固体电子学，MBE具有最大的影响，其工艺对平面和集成工艺也有十分重要的意义。 第三节 氧 化 通常将硅片在电阻炉中加热到900～1200℃，让氧气流过硅表面，使氧气与硅原子起化学反应而制成Si02层。 干法氧化： Si(固)+O2→Si02(固) 蒸汽流氧化： Si(固)+2H20→Si02(固)+2H2 热氧化过程 第四节 光 刻 光刻是一种图像复印与刻蚀(化学的、物理的或两者兼而有之)相结合的综合性技术。它先用照相复印的方法，将光刻掩模的图形精确地复印到涂有待刻蚀材料(Si02、A1、多晶硅等薄膜)表面的光刻胶上面，然后在光刻胶的保护下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻材料上得到所需要的图形。 微细结构加工所使用的光刻类型 光学光刻是微电子工业中最重要的技术，通常用于2～3μm线宽的制造。 电子束光刻主要用于掩模制造。对于高密度的微电子结构，电子背散射使它的实际线宽下限限制在0．5μm左右。 X射线光刻所加工的线宽接近百分之几微米的量级，但需要一个复杂的吸收掩模和薄膜支撑结构。 离子束光刻提供了图形的掺杂能力，并具有很高的分辨率(0．01μm以下)。 掩模制造 一、制版工艺 在制版工艺中，首先需要制造一个掩模或传送一个所需要的图形。 掩模制造从一个被称作原图的大尺寸布线图开始 接着用照相机拍照。一般初始原图尺寸是最后电路芯片的500倍。2.5mm的芯片，原图可能是125cm。成功的制版工艺首先将原图缩小为1／100，然后再缩小为原图的1／500，最后精确地印在模版上。 接触曝光 二、投影复制 在投影复制中，借助在掩模和基片之间的高分辨率透镜把光掩模的图形直接投影在基片的光刻胶上，掩模寿命主要受操作损伤的限制。 一种类型是用单一光照射整个基片，掩模上的图形通常与基片(直径5～10cm)上的图形具有相同的尺寸。市售1：1的投影复制机在2～3μm的范围内图像清晰，其对准精度为0．3～0．6μm。 另一类型是用掩模产生的图形只对部分基片曝光，这时掩模比投影图形大5或10倍。然后基片步进到一