[单片机原理与应用及C51编程技术(高玉芹主编)]第七章 单片机存储器的扩展.ppt

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练习题 1.假设外部数据存储器4000H单元的内容为80H,执行下列指令后: MOV P2,#40H MOV R0,#00H MOVX A,@R0 累加器A中的内容为( )。 2.单片机存储器的主要功能是存储( )和( )。 3.编写程序,将外部数据存储器中的4000H~40FFH单元全部清零。 4. 11根地址线可选( )个存储单元,16KB存储单元需要( )根地址线。 5. 区分MCS-51单片机片外程序存储器和片外数据存储器的最可靠的方法是( ) (1)看其位于地址范围的低端还是高端 (2)看其离MCS-51芯片的远近 (3)看其芯片的型号是ROM还是RAM (4)看其是信号 连接还是 信号连接 * * 访问ROM/EPROM的读数指令为MOVC A,@A+PC或MOVC A,@A+DPTR 如读取EPROM地址为1000H单元内容的指令为: MOV DPTR,#1000H MOV A,#00H MOVC A,@A+DPTR §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆多片EPROM的扩展电路 与单片EPROM扩展电路相比,多片EPROM的扩展除片选线 外,其它均与单片扩展电路相同。图7-6给出了利用4片27128EPROM扩展成64KB程序存储器的方法。片选信号采用译码选通产生。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆EPROM芯片地址空间范围 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 * ◆数据存储器的扩展 ①数据存储器: 数据存储器即随机存储器RAM,用于存放各种可随机修改的程序和数据。与ROM不同,对RAM可以进行读写两种操作。但RAM是易失性存储器,断电后所有信息立即消失。常用的外部数据存储器有静态RAM(Static Random Access Memory-SRAM)和动态RAM(Dynamic Random Access Memory-DRAM)两种。 ②典型的SRAM芯片:典型的SRAM芯片的典型型号有,6116(2K×8),6264(8K×8),62128(16K×8) 62256(32K×8)。 他们都用单一+5V电源供电,双列直插式封装。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆线选法扩展数据存储器电路 静态数据存储器与单片机连接时,主要解决地址分配、数据线和控制信号线的连接。P2口提供高8位地址,P0口分时提供低8位地址和8位双向数据总线。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆数据存储器芯片地址空间范围 6264芯片地址线为A0~A12,故剩余地线为3根。用线选法可扩展3片6264,外部数据存储器空间可达24KB。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆译码法扩展数据存储器电路 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆数据存储器芯片地址空间范围 62128芯片地址线为A0~A13,故剩余地址线为2根。采用2-4译码器扩展4片62128,使外部数据存储器容量可达64KB。。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 * ◆程序存储器和数据存储器的综合扩展 AT89系列单片机中的数据存储器和程序存储器是严格区分的,两者操作所用控制信号不同,读/写外部数据存储器用 、 ,读外部程序存储器用 。在单片机应用系统设计中,经常是既要扩展程序存储器(EPROM)又要扩展数据存储器(RAM)即存储器的综合扩展。 下面通过具体实例来介绍如何进行综合扩展。 ①线选法综合扩展 ②译码法综合扩展 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 * ①线选法综合扩展 用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM。RAM芯片选用2片6264,EPROM芯片选用2片2764,共扩展4片存储器芯片。扩展接口电路见图7-9。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 ◆芯片地址空间范围 程序和数据存储器地址均用16位,低8位由P0口确定,高8位由P2口确定。如P2.6=0,P2.5=1,选中IC2、IC4。地址线A15~A0与P0、P2对应关系如表7-6所示。 §7.3 外部存储器扩展电路及编程 在这里除P2.6、P2.5位固定外,其他“×”位均可变。设没有用到的位P2.7=0,“×”各位全为0,则得到最小地址2000H;若“×”各位全为1,则得最大地址3FFFH,所以IC2和IC4占用地址空间为2000H~3FFFH共8KB。如P2.6=1,P2.5=0,选中IC1、IC3,同理可得IC1、IC3地址范围4000H~5FFFH。 * ②译码法综合扩展 采用译码器法扩展2片8KB EPROM,2片8KB RAM。EPROM选用2764,RAM选用6264,译码器选用

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