高Tc超导体制备及电阻-温度特性测量.pptVIP

高Tc超导体制备及电阻-温度特性测量.ppt

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高Tc超导体制备及电阻-温度特性测量; 1908年,荷兰物理学家H.K.Onnes使最后一个气体——氦气液化取得成功,这一成功使得超导体发现成为可能,超导研究才得以实现。这是超导体发展的第一个里程碑。1911年,H.K.Onnes在莱登大学测量纯汞的低温电阻特性时发现纯汞电阻在约4.2K时急剧下降到零,进入了一种新的状态,这种新的状态就被称为超导态。他的发现拉开了超导研究的序幕,从此开始了世界范围的超导电性的理论和应用研究。; 1933年,Meissiner和Ochsenfeld发现:“处于超导态的金属决不允许磁通密度存在于它的体内”。即超导体具有完全抗磁性。后来被称为Meissiner效应。至此,确定了超导体的两大独立特征:零电阻现象和Meissiner效应。但由于金属间化合物在低温下性能不好,使人们一直无法把超导应用到实际当中去。至此,超导转变温度Tc的提高出现了停滞状态。; 但在此期间超导理论发展却极为迅猛,Meissiner效应、二流体模型、伦敦兄弟方程、同位素效应、和约瑟夫效应等都是在此阶段提出的。这些理论对低温超导进行了非常好的解释。由于超导转变温度没有新的突破,高温超导作为梦想虽早被提过,但一直无法实现。直到1986年发现了较高的LaBaCuO系氧化物超导材料。以此契机超导材料的Tc终于进入了液氮温区,人们终于实现了获得液氮温区超导体的多年梦想。 ; 超导材料的应用范围极其广泛。在强磁中的应用基于它的零电阻效应,可以在庞大的立体空间产生很高的强磁场,不消耗或只消耗极少的电力。而基于Josephson效应所制成的器件,对磁场或电磁辐射有极高的灵敏度,是超导技术的弱磁应用。在强电方面的应用主要有超导储能、超导抗磁体、超导电磁轨道、超导单极电机、超导加速器、高精度磁悬浮陀螺等等。高Tc超导材料在弱电方面的应用可能要优于强电,在弱电方面应用的基础是超导薄膜,超导结的约瑟夫效应及制备各种超导电子器件,; 由于它的高速度、低损耗、宽频带、低噪声、甚小功耗、长寿命等突出特点,是半导体器件望尘莫及的。因此,在军事、导航通迅、地质、生物医学以及基础研究等方面有着极为诱人和重要的应用前景。 ;一、实验目的;二、实验原理;超导体在一定温度下,由正常的有阻状态(常导态急剧地转为零电阻状态(超导态); (1) 临界温度Tc? 理论上,超导临界温度的定义为:当电流、磁场及其它外部条件(如应力、辐照等)保持为零或不影响转变温度测量的足够低时,超导体呈现超导态的最高温度.实验上,可以根据测得R (或 )-t曲线,将远离电阻发生急剧变化高温端的数值拟合直线A,将电阻急剧变化部分的数据拟合成直线B,直线A与直线B的交点所对应的电阻为Rn(称为正常态电阻),取Rc=(1/2)Rn 所对应的温度就为Tc (2) 零电阻温度Tc0? 是指超导体保持直流电阻R=0 (或电阻率 = 0)时的最高温度;(3) 转变宽度ΔTc ??超导体由正常态向超导态过渡的温度间隔.实验上常取10%~90%Rn 对应的温度区域宽度为转变宽度.ΔTc 的大小一般反映了材料品质的好坏,均匀单相的样品ΔTc? 较窄,反之较宽.;零电阻和迈斯纳效应是超导电性的两个基本特性.这两个基本特性既相互独立又相互联系,因为单纯的零电阻现象不能保证迈斯纳效应的存在,但它又是迈斯纳效应存在的必要条件.;临界温度Tc 、临电流密度Jc 和 临界磁场Hc? 是超导体的三个临界参数,这三个参数与物质的内部微观结构有关.在实验中要注意,要使超导体处于超导态,必须将其置于这三个临界值以下;只要其中任何一个条件被破坏,超导态都会被破坏.;工作原理示意图;实验设备; 三、实验步骤; 3、开始采集 点击“数据采集”按钮,然后点击“确定”后按下仪器的“复位”按钮,当看到“运行”指示灯不停闪烁时,即表示系统进入测量状态。 ;(1)自动测量 提升装有样品的低温恒温器,使其脱离液氮液面,温度将逐渐升高。在电脑显示器左上部“状态参数” 区表示“样品电流方向”的“正向/反向”指示灯交替闪烁,表示系统已开始采集数据。此时在计算机屏幕上逐点描出两条电压一温度特性曲线,红色的一条表示正向电压降,蓝色的一条表示反向电压降,“状态参数”区域同时显示相应的工作参数值。其含义如下: 计数:表示数据采集开始后所有采集到的有效数据的计数值 ; 样品电压值 :表示沿当前流过样品的电流方向所测得的样品两端的电压降数值,单位为(μV) ;; 样品当前温度 :表示低温恒温器温度传感器所测到的恒温器当前温度值,单位为(K)。若温度变化缓慢,温度传感器与样品之间的温度误差可以被忽略,因此该温度值可表征为样品温度值; ? 样品电流值:表示正向和反向流过样品的电流的平均值,单位为

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