多晶硅工艺培训版.pptVIP

11 多晶硅工艺介绍 多晶硅定义 国内外多晶硅发展现状 四种制备多晶硅的工艺方法 改良西门子法介绍 多晶硅材料的应用及发展前景 一、定义 1、多晶硅是单质硅的一种形态。 （1）熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排 列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起 来，就结晶成多晶硅。 （2）多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现 在物理性质方面。 2、晶体硅材料中多晶硅与单晶硅的主要区别? （1）它们的原子结构排列 ，单晶是有序排列 ，多晶则是无序排列 ， 主要是由它们的加工工艺决定的。 （2）单晶硅呈深色，多晶硅呈雪花状。 二、国内外多晶硅发展现状 1.国际多晶硅发展现状： 2005年半导体用多晶硅短缺6000吨， 2008年全球多晶硅的产能将达49550吨， 预计2010年将达58800吨，到2010年全球多晶硅需求量将 达85000吨，缺口26200吨。 日本 SANYO SOLAR ART 2、国内多晶硅发展现状： （1）全国共有16个省、市、自治区布局投资建设33个高纯 多晶硅项目，总规模为146750t。根据近期统计，全国在建、 拟建的高纯多晶硅项目已有50多个。 （2）主要项目的最新情况简介（见附件1） 三、多晶硅的制备四大多晶硅制备工艺 1，改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 2，硅烷法——硅烷热分解法 硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。 3，流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原 料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三 氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应 生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。  制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化 床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状 多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反 应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成 本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。 唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是 产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生 产的使用。  此法是美国联合碳化合物公司早年研究的 工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司 采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生 产价廉的太阳能级多晶硅。  4，太阳能级多晶硅新工艺技术 除了上述三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还有几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术： 冶金法生产太阳能级多晶硅 气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅 主要的几代多晶硅的生产工艺图 1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 　 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑ 　　 2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 　　其化学反应Si+HCl→SiHCl3（泵的点）+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物 (Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。 　　 3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷 凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。 　　 4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 　　 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HC