【电子装备设计与应用课件】本设计输出滤波电抗器.pptVIP

15、本设计输出滤波电抗器 * 根据第9、10节设计如图所示三相逆变器输出电路中，L的电感量约为185.333微亨 L1 C L’ R Uo IL1 一、根据式 其中： 注意：400HZ时，KS、j、B比50HZ时下降。 查表可选：400HZ CD32×64×130的铁心。它的SQ为： 导线截面积计算： 查表选矩形截面玻璃丝包绝缘导线。 匝数计算：查表可得这种铁心的每伏匝数为，0.43 根据实际情况，可选N=（22~24）匝，在两个心柱上各绕11~12匝，装配时，通过调整铁心气隙，得到所需的电感量。 16、空心电抗器的计算 有些场合要求的电感量很小，或是要求较好的线性，这时可用空心电抗器。空心电抗器的电感量与线圈的几何形状及线圈匝数有关，可以根据通过电流的大小选择一定的导线截面积，然后假设几个尺寸大小（如图）及线圈匝数进行试算，重复修改几次，就可得到所需要的电感。 多层线圈的计算公式如下： D d 式中 D~线圈的平均直径（cm） ~线圈的平均高度（cm） d~线圈的厚度（cm） N~线圈匝数 例：已知线圈N=500匝， D=16(cm)，d=3(cm)， =10(cm) 则电感为 这个公式是近似的，计算结果与实际会有误差，但对初步估算有用，实际应用时可通过实测校验。 17、主开关器件的保护 电力电子装置主开关器件的保护主要在两个方面：①器件控制极保护；②器件主开关极的保护； ①器件控制极保护 当今电力电子装置中用的主开关器件以电压型开关器件占主导地位（控制特性好，驱动功率小），但存在的问题是：控制极比电流型开关器件容易损坏，在设计安装不合理时更是如此。 IGBT、MOSFET都是最常用的电压控制型开关器件。它们共同的特点是：控制极（栅极回路）都可以等效为一个电容器。 栅极回路的击穿电压BVGS均为±20V，一般使用中不超过±15V，实用的典型栅极电路如图所示： Rg Rgs W1 W2 Vgs Rg是栅极驱动限流电阻， Rg越小栅极获得的驱动电流越大，开关器件的开关速度越快。 太小的Rg会造成驱动电路负荷过重，例如，驱动电路输出电流峰值Ip=2(A)，输出电压VO=15(V)时， Rg小于7.5欧姆就可能造成驱动电路过载。 过快的开关速度对开关器件也不绝对有利，特别是关断时，过快的速度会造成过大的dv/dt，对器件的可靠关断不利。 Rg太大会造成开关器件的开关过渡过程变长（功耗增加）同样不利。 Rg具体大小可参考器件资料，一般电流容量越大的器件（Cgs大）Rg越小，电流容量越小的器件（Cgs小）Rg越大。在实际电路中，可通过实验在典型值附近调整。 Rg1 Rgs W1 W2 Vgs Rg2 在要求开通和关断时间常数不一样的应用场合，可用右图所示电路，由Rg1决定开通时间，Rg2决定关断时间。 Rgs的大小与开关器件的反压耐受力有关。 Rgs越小，开关器件关断时能承受的反压越高，但对驱动电路不利。因为电压型开关器件驱动电路一般都按脉冲工况设计， Rgs过小时驱动电路实际上变成了连续工况。 Rgs一般可选在10K左右。 W1和W2为驱动电压限幅二极管，一般选16~18V的稳压二极管，反串后具有±17~19V的双向限幅特性，可防止驱动电压超过±20V。 以上元件在实际电路中应尽量靠近开关器件栅极布置，以便减少引线电感带来的不利。 器件主开关极的保护 主开关极的保护电路至关重要。最典型的电路原理如右图所示。 L R D C L和C是防止器件过高的di/dt和dv/dt的两个关键元件（原理略）。 该电路缺点是，功耗大，R在开关管导通时要消耗C中所有的能量。 原理上，当开关器件开通时，C上的电压必须通过R放光，才能保证器件关断时C对dv/dt的限制，这样RC时间常数便导致器件最小开通时间设计困难。 例如：当C=0.1微法，UC=500伏，f=10KHZ时，R功耗便达到125瓦，三相电路有六个开关器件，仅这一项便要耗费750瓦。 开关管开通时，流过的电流是负载电流及R中电流的和，当R较小时，开关器件有可能承受过大的电流。 一种较为理想的缓冲电路如图所示： L R C1 C2 +E D1 D2 其中L、R、C1、C2、D1、D2（仅标注一相）等元件为缓冲电路元件。 T1 T2 A IZ -E Z 设某段时间内，负载电流如图中IZ所示，大小不变。当T1开通时， IZ（红色）经电源正，L，T1流向负载