【电子电力技术基础课件】自关断器件及其驱动，保护电路.pptVIP

自关断器件及其驱动，保护电路 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 5、GTR的保护 (1)过流保护 受冲击能力差，快熔不起作用 利用电子开关，进行过流保护 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 一、功率晶体管GTR 复合吸收电路∶ 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） 结构∶ 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） 特点：电压控制，控制极（栅极）静态内阻高 驱动功率小，开关速度高，无二次击穿，安全工作区宽 1. 基本原理 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） 2. 工作特性 (1)漏极伏安特性 (a)可调电阻区I，UGS固定，UDS 由0上升到预夹断电压 ID线性增加，接近预夹断电压时ID变化慢 (b)饱和区 (c)击穿区 (2)转移特性 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） (3)开关特性 为多数载流子器件，没有存储 效应，开关时间短为20ns左右 输入电容: 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） 关断：a）UP高电平，Cin放电，UGS下降，iD的未变 b）td（off）时，预夹断，iD下降 c）Cin仍放电，UGS仍下降，夹断区上升，iD下降 UGSUGS（TH）时，导电沟道消失，iD＝0 toff = td(off) + tf 二 功率功效应晶体管（P-MOSFET） Ⅰ 漏源电阻限制线 Ⅱ 最大漏极电流限制线 Ⅲ 最大功率限制线 Ⅳ 最大漏源电压限制线 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） GTR：开关频率下降，驱动功率上升，导通压降下降 MOSFEF：通态压降上升,开关速度上升，驱动功率下降 IGBT＝输出（MOSFET）＋输出（GTR） 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 结构∶ 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 1 原理 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 2 工作特性 (1)静态特性 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） (1)擎住效应 IC上升，Rbr压降使NPN通,经正反馈， 寄生等效晶闸管通,IGBT栅极失去控制作用 静态擎住：ICICM 动态擎住：关断时产生，J2结反压很快建立， 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） (2)安全工作区 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） (3)IGBT的保护 措施：检测过流信号，切断栅极控制信号 吸收电路，限 三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 关断时间∶ IGBT允许短路过电流时间 不能太快，dIc/dt过大，自感电势↑ 慢速过流截止 四 自关断器件驱动电路 GTR通，如VD1正偏 四 自关断器件驱动电路 GTR驱动电路: 四 自关断器件驱动电路 MOSFET驱动电路: 四 自关断器件驱动电路 IGBT驱动电路: 四 自关断器件驱动电路 * -电力电子技术基础- 浙江大学电气工程学院 * 结构∶ 特点： 开关频率高，动态性能好，无需强迫换流，控制方便。承受功耗小， 阻断能力差, 瞬态过电压，过载能力差。 1、电压电流定额 Uceo：基极开路，集电极电流较大时，集，射极间的击穿电压 Icp： 连续（直流）额定电流 2、开关特性 tα∶延迟时间； ts∶存储时间 tr∶集电极电流上升时间； tf∶集电极电流下降时间 (1)??? t=t-0-, usr0, 截止，usc=Ec (2)??? t=t-0+, usr∶-U2 U1、正偏，结电容影响、仍截止，延时td (3)??? t=td后，导通，放大区饱和区，usc=0 (4)??? t=tm，usr∶U1 -U2、欲使电荷消散，需ts, 仍饱和 (5)??? ts后，饱和区放大区截止区，tf 关断∶toff=ts+ tf 开通∶t