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> 总目录 退出 数字集成电路的分类 各种系列门电路的性能比较 数字集成电路型号的命名法 CMOS ， ECL器件型号组成符号意义 TTL与非门的工作原理 TTL与非门的特性与参数 集电极开路（OC）门 三态门 CMOS逻辑器件的三大系列 数字集成电路的分类 一.按工艺结构区分： 1.按工艺区分 IIL电路 54/74系列 54H/74H系列 54LS/74LS系列 54AS/74AS系列 54ALS/74ALS系列 CMOS电路 NMOS电路 PMOS电路 ECL电路 HTL电路 TTL电路 54HC/74HC系列 54HTC/74HTC系列 4000系列 Bi-CMOS型 MOS型 双极型 总目录 退出 > < 目录 2.按输出结构区分 推拉式输出或CMOS反向器输出 OC输出或OD输出 三态输出 二.按集成度（单个芯片所含门的个数）区分： 1.小规模集成电路（Small Scale Integration，SSI，10门以下/片） 2.中规模集成电路（Medium Scale Integration，MSI，100门以下/片） 3.大规模集成电路（Large Scale Integration，LSI，1000门以上/片） 4.超大规模集成电路（Ｖery Large Scale Integration, VLSI,10000门以上/片) 总目录 退出 > < 目录 三.按数字系统设计方法分类: 总目录 退出 > < 目录 1.通用型中规模（MSI），小规模（SSI）集成逻辑件。 2.由软件组态的大规模（LSI ），超大规模（VLSI）集成逻辑器件，如微处理器、单片机、通用和专用数字信号处理器等。 3.专用集成电路ASIC。 * * * 全定制 半定制 PLD PROM PLA PAL GAL CPLD FPGA 各种系列门电路的性能比较 总目录 退出 > < 目录 总目录 退出 > < 目录 双极型数字集成门 TTL门电路工作速度高，驱动能力强，是目前应用最广泛的集成门电路。它的主要缺点是功耗大，集成度低。 * 射极耦合逻辑ECL电路 发射极耦合逻辑电路，也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。 这种门电路输出阻抗低，负载能力强，能实现或非及或两种逻辑功能。它的主要缺点是抗干扰能力差，电路功耗大。 TTL门电路 * IIL电路的主要特点是电路结构简单，功耗低。IIL的每个基片逻辑单元所占面积很小，工作电流不超过1nA，因而其集成度可达500门/mm以上（一般TTL电路集成度在20门/mm左右）。 2 注入逻辑IIL电路 IIL电路的另一特点是可以在低电压下工作但抗干扰能力差，开关速度低，一般tpd >10ns。 MOS集成门 MOS逻辑电路是以金属一氧化物一半导体场效应管为基础的集成电路。因管内有一种载流子运动，因而它属于单极型数字集成电路。目前广泛应用的是CMOS电路，它有以下特点： 2 总目录 退出 > < 目录 * 1.CMOS电路由NMOS和PMOS组成，由于MOS管导通内阻比半导体导通内阻大，所以CMOS门比TTL门工作速度低一些。 2.由于CMOS电路的互补特性，其高低电平输出阻抗都很低（同NMOS和PMOS比）。 CMOS电路的输入阻抗只取决于输入端保护二极管的 漏电流，其输入阻抗极高，可达10 W以上。在频率不太高的情况下， CMOS电路的扇出能力几乎不受限制。当频率升高时，扇出系数有所降低。 8 3.CMOS电路主要有两个产品系列---CC4000和 C000（与国外CD和MC系列相当）。它们的电源电压允许范围大，CC4000系列为3~18V；C000系列为5~15V。因此它们输出高低电平摆幅大，抗干扰能力强，其噪声容限可达30%VDD，而TTL门的噪声容限只有0.4V。 4.CMOS门工作时总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流，其功耗极小。当VDD=5V时，CMOS电路的静态功耗分别是：门电路类为2.5~5uW；缓冲器和触发器类为5~20uW；中规模集成电路类为25~100uW。 总目录 退出 > < 目录 5.CMOS集成电路功耗低，内部发热量小，集成度可大大提高。又由于其电路本身的互补对称结构，当环境温度变化时，其参数有互相补偿作用，因而其温度稳定性好。 6.抗辐射能力强，MOS管是多数载流子受控导电器件，射线辐射对多数载流子浓度影响不大。因此CMOS电路特别适用于航天，卫星和核试验条件下工作的装置。 7.由于CMOS电路输入阻抗高，容易受静电感应发生击穿，除其电路内部设置保护电路外，在使用和存放时应注意静