毕业设计：光电传感器.doc

光电传感器 光电式传感器是蒋光信号转换为电信号的光敏器件。它可用于检测直接一起光强变化的非电量，如光强，辐射测温，气体成分分析等；也可用来能转换成光亮变化的其他非电量，如零件线度，表面粗糙度，位移，速度，加速度等。光电式传感器具有非接触，相应快，性能可靠等优点，因而得到广泛应用。光电式传感器是目前产量最多应用最广的传感器之一。 光电效应 观点是传感器的物理基础是光电效应，即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为两大类，即外光电效应和内光电效应。 3．1．1 外光电效应 在光照射下，电子溢出物体表面向外发射的现象称为光电效应，亦称光电发射效应。它是在1887年由德国科学家赫兹发现的。基于这种效应的光电器有光电管，光电培管等。 每个光子具有的能量为 Q = hv 式中，h=6.626* SKIPIF 1 0 J.S,为普朗克常数，v为光的频率。物体在光照射下，电子吸收了入射的光子能量后，一部分由于克服物质对电子的束缚，另一部分转化为溢出电子的动能。如果光子的能量Q大于电子的溢出功A，则电子溢出。溢出功A也成为功函数，是一个电子从金属或半导体表面溢出时克服表面势垒所需做的功，其值于材料有关，还和材料的表面状态有关。若溢出电子的动能为 SKIPIF 1 0 ,择优能量守恒定律有：  SKIPIF 1 0  m 为电子的静止质量， SKIPIF 1 0 为电子溢出物体时得出速。上是即为爱因斯坦光电效应方程式。可知： 光电效应能否产生，取决于光子的能量是否大于该物质表面的电子溢出功。这意味着每一种物质都有一个对应的光频阀值，成为红限频率（对应的光波长称为临界波长）。光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体的电子溢出，因而小于红限频率的光，光强再大也不产生光电发射。反之，入射光频率高于红限频率，即使光强微弱也会有电子发射出来。 若入射光的光频为v,光功率为P,则每秒钟到达的光子数为p/hv.假设这些光子中只有一部分（η）能激发电子，则入射光在光电面激发的光电流密度为  SKIPIF 1 0  式中，η是量子效率，定义为光强生成的载流子数与入射光子数之比，它是波长的函数，并与光电面的反射率，吸收稀疏，发射电子的深度，表面亲和力等因素有关，e为电子电荷量。 光电子溢出物体表面具有初始动能。因此光电管即使未加阳极电压，也会有光电流产生。为使光电流为零，必须加负的截止电压，而截止电压与入射光的频率成正比。 3．1．2 内光电效应 内光电效应分为两类，光电导效应和光电伏特效应。 1．光电导效应 入射光强改变物质导电率的物理现象，叫光电导效应。这种效应几乎所有高电阻率半导体都有。这是由于，在入射光作用下，电子吸收光子的能量，从价带激发到导带，过渡到自由状态，同时价带也因此形成自由空穴，致使导带的电子和价带的空穴浓度增大，引起材料电阻率减小。为使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E应大于禁带宽度E,如图，即光的波长应小于某一临界波长  SKIPIF 1 0  。  SKIPIF 1 0  式中， SKIPIF 1 0 为电子伏（eV）为单位（1eV=1.60*10 J）,c 为光速(m/s). 也称为截止波长.根据半导体材料的禁带宽度可得相应的临界波长.本征半导体（纯半导体）的 大于掺杂质半导体。 图3。2为光电导元件工作示意图。当光电导元件在一定强度的光的连续照射下，元件达到平衡状态时，输出的短路电流密度为：  SKIPIF 1 0  可以看出， SKIPIF 1 0 在波长决定之后与p成正比，在  SKIPIF 1 0 一定时，与光波长  SKIPIF 1 0 成反比。还可以看出，要增加光电流密度要选择载流子寿命长、迁移率大的材料而且应该尽量缩短两极间的距离和提高外加电压。随着光能的增强，光生载流子浓度也增大，但同时电子与空穴间的复合速度也加快，因此光能量与光电流之间的关系不是线性的。基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 2．光生伏特效应 光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后，在 PN结上产生电动势的效应。若在 N 型硅片掺入P 型杂质可行成一PN结，如图3。3所示。 为什么PN结会产生光生伏特效应呢？这是因为：当光照射到距表面很近的PN结上时，如果光足够大，光子能量大于半导体材料的禁带宽度，电子就能够从价带跃迁到导带，成为自由电子，而价带则相应成为自由空穴。这些电子——空穴对在 PN结的内部电场作用下，电子被推向N区外侧，空穴被推