第四章离子镀膜.pptVIP

* * 第四章 离子镀膜 §4-1 离子镀原理 §4-2 离子镀的特点 §4-3 离子轰击的作用 * * 离子镀膜技术（简称离子镀）是美国Sandia 公司的D.M.Mattox于1963年首先提出来的。离 子镀的英文全称 Ion Plating,简称 IP。 原理：在真空条件下，应用气体放电实现镀膜，即在真空室中使气体或被蒸发物质电离，在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，同时将蒸发物质或其反应产物蒸镀在基片上。 与蒸发镀膜和溅射镀膜相比较，除具有二者的特点外，还特别具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等一系列优点，因此受到人们的重视。 * * * §4-1 离子镀原理 图4-1为Mattox采用的直流二极型离子镀装置的示意图。 * * * * * 1. 真空室抽至10－4Pa的高真空后，通入惰性气体（如氩气），使真空度达到 1~10-1 Pa。 2. 接通高压电源，在蒸发源与基片之间建立起一个低压气体放电的等离子区。 3. 由于基片处于负高压并被等离子体包围，不断受到正离子的轰击，因此可有效地清除基片表面的气体和污物，使成膜过程中膜层表面始终保持清洁状态。 4. 与此同时，镀材气化蒸发后，蒸发粒子进入等离子区，与等离子区中的正离子和被激活的惰性气体原子以及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，正离子在负高压电场加速作用下，淀积到基片表面成膜。 由此可见，离子镀膜层的成核与生长所需的能量，不是 靠加热方式获得，而是由离子加速的方式来激励的。 * * * 被电离的镀材离子和气体离子一起受到电场的加速，以较高的能量轰击基片或镀层表面，这种轰击作用一直随着离子镀的全过程。 但是，由于基片是阴极，蒸发源为阳极，通常在两极间有1~5KV的高压，因此，在膜材原子淀积过程的同时，还存在着正离子（Ａｒ＋或被电离的蒸发离子）对基片的溅射作用。显然，只有当淀积作用超过溅射剥离作用时，才能发生薄膜的淀积过程。 分析离子镀的成膜条件 　若辉光空间只有金属蒸发物质，且只考虑蒸发原子的淀积作用，则单位时间内入射到单位表面上淀积的金属原子数 n 可用下式表示 (4-1) * * * 式中，　－－淀积原子在基片表面的淀积速率（ ）； 　 －薄膜的密度（　　　 ）； －淀积物质的摩尔质量；　 －阿佛加德罗常数，　　　　　　 　 如果考虑剥离效应，则应引入溅射率概念。如轰击基片为一价正离子（如Ａｒ＋ ），测得其离子电流密度为　，则单位时间内轰击基片表面的离子数为　　 式中，　　　 是一价正离子的电荷量（C）；　是入射离子形成的电流密度 （　　　　 ）。 (4-2) * * * 　比较式（4－1）和（4－2）可知，离子镀过程中，要想得到淀积薄膜，必须使淀积效应优于溅射剥离效应。即离子镀的成膜条件　　　。而且　 中应包括在有附加气体时所产生的离子数。 　另外，在经过简化处理后，并设正离子在到达基片的过程中与中性粒子的碰撞次数为　　 时，D.G.Teer给出了离子镀过程中，由离子带到基片表面能量　 的近似表达式 式中，　 －－离开负辉光区的离子数；　 －－基片偏压。在离子镀系统中，　　　　　　 * * * 因此，离子的平均能量为　　　 。 当　 为1~5KV时，离子的平均能量为100~500eV。 　D.G.Teer测出金属的离化率只有0.1~1%，但是，由于产生了大量高能中性原子，故提高了蒸发粒子的总能量。因此，使得离子镀具有许多优点。 * * * §4-2 离子镀的特点 与蒸发和溅射相比，离子镀有如下几个特点 ： （1）膜层附着性好。 a.在离子镀过程中，利用辉光放电所产生的大量高能粒子对基片表面产生阴极溅射效应，对基片表面吸附的气体和油污进行溅射清洗，使基片表面净化，直至整个镀膜过程完成 。 b.可在膜基界面形成组分过渡层或膜材与基材的成分混合 层，Mattox称之为“伪扩散层”，能有效改善膜层附着性能。 （2）膜层的致密度高（通常与大块材料密度相同）。离子镀过程中，膜材离子和高能中性原子带有较高的能量到达基片，可以在基片上扩散、迁移。而且膜材原子在空间飞行过程中即使形成蒸汽团，到达基片时也能被离子轰击碎化，形成细小的核心，生长为细密的等轴晶体。 * * * （3）绕射性能好。离子镀过程中，部分膜材原子被离化成正离子后，沿着电场的电力线方向运动， 凡是电力线分布之处，膜材离子都能到达。 （4）可镀材质范围广泛。可在金属或非金属表面上镀金属或非金属材料。 （5）有利于化