模拟调制系统的抗噪声性能.ppt

SSB信号的频谱 VSB调制和解调器模型 (a)VSB调制器模型 (b)VSB解调器模型 残留边带滤波器的几何解释 2. 线性调制系统的抗噪声性能 3. 非线性调制（角度调制）的原理 直接和间接调相 直接和间接调频 窄带调频 前提条件 时域表达式 （2） 调频信号的解调(i)相干解调---窄带调频 输入信号 (ii)非相干解调 4. 调频系统的抗噪声性能 5. 各种模拟调制系统的性能比较 6 频分复用(FDM) （2） 小信噪比情况与门限效应 应该指出，以上分析都是在(Si/Ni)FM足够大的条件下进行的。当(Si/Ni)FM减小到一定程度时，解调器的输出中不存在单独的有用信号项，信号被噪声扰乱，因而(So/No)FM急剧下降。这种情况与AM包检时相似，我们称之为门限效应。出现门限效应时所对应的(Si/Ni)FM值被称为门限值（点），记为(Si/Ni)b。 下图示出了在单音调制的不同调制指数mf下，调频解调器的输出信噪比与输入信噪比近似关系曲线。由图可见：  （i） mf不同，门限值不同。mf越大，门限点(Si/Ni)b越高。(Si/Ni)FM＞(Si/Ni)b时，(So/No)FM与(Si/Ni)FM呈线性关系，且mf越大，输出信噪比的改善越明显。 非相干解调的门限效应 （ii） (Si/Ni)FM＜(Si/Ni)b时， (So/No)FM将随(Si/Ni)FM的下降而急剧下降。且mf越大，(So/No)FM下降得越快，甚至比DSB或SSB更差。 这表明，FM系统以带宽换取输出信噪比改善并不是无止境的。随着传输带宽的增加（相当mf加大），输入噪声功率增大，在输入信号功率不变的条件下，输入信噪比下降， 当输入信噪比降到一定程度时就会出现门限效应，输出信噪比将急剧恶化。  在空间通信等领域中，对调频接收机的门限效应十分关注，希望在接收到最小信号功率时仍能满意地工作，这就要求门限点向低输入信噪比方向扩展。采用比鉴频器更优越的一些解调方法可以达到改善门限效应的要求，目前用的较多的有锁相环鉴频法和调频负回授鉴频法。  综合前面的分析，各种模拟调制方式的性能如下表所示。表中的So/No是在相同的解调器输入信号功率Si、相同噪声功率谱密度n0、相同基带信号带宽fm的条件下，所得的相应公式。其中AM为100%调制，调制信号为单音正弦。 1. 性能比较  WBFM抗噪声性能最好，DSB、SSB、VSB抗噪声性能次之，AM抗噪声性能最差。NBFM和AM的性能接近 （3） VSB调制系统的性能  VSB调制系统的抗噪声性能的分析方法与上面的相似。 但是，由于采用的残留边带滤波器的频率特性形状不同， 所以，抗噪声性能的计算是比较复杂的。但是残留边带不是太大的时候，近似认为与SSB调制系统的抗噪声性能相同。  2.3 调幅信号包络检波的抗噪声性能  AM信号可采用相干解调和包络检波。相干解调时AM系统的性能分析方法与前面双边带（或单边带）的相同。实际中，AM信号常用简单的包络检波法解调，此时，系统的解调器为包络检波器，其检波输出正比于输入信号的包络变化。 图中，sm(t)=［A0+m(t)］cos?ct，其中，A0为直流分量，m(t)为调制信号。这里仍假设m(t)的均值为0， 且A0≥|m(t)|max。 输入噪声依旧为窄带高斯的： 显然，解调器输入的信号功率Si和噪声功率Ni为：  Si=s2m(t)=(A02+m2(t))/2  Ni= =n0B  输入信噪比： 解调器输入是信号加噪声的混合波形， 即 sm(t)+ni(t) =［A+m(t)+nc(t)］cosωct-ns(t)sinωct =E(t)cos［ωct+Ψ(t)］ 其中合成包络 E(t)=  合成相位  Ψ(t)=arctan  理想包络检波器的输出就是E(t)，可见，检波输出中有用信号与噪声无法完全分开。因此，计算输出信噪比是件困难的事。我们来考虑两种特殊情况。  1） 大信噪比情况 此时， 输入信号幅度远大于噪声幅度，