晶闸管可控整流电路.pptVIP

■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典型输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域。 ?在电力电子电路中， GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区。 ?在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，一般要经过放大区。 5. 电力场效应晶体管 ■分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductor FET）,简称电力MOSFET（PowerMOSFET）。 ■电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有： ◆驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆开关速度快，工作频率高。 ◆热稳定性优于GTR。 ◆电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10kW的电力电子装置。 6. 绝缘栅双极晶体管 ■GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 常用整流电路类型： 不同性质的负载对于整流电路输出的电压电流波形有很大影响。 负载的性质大致分为以下几种： 电阻性负载——如电阻加热炉、电解、电镀和电焊等。 电感性负载——各种电机的励磁绕组，经电抗器滤波的负载。 电容性负载——整流输出端接大电容滤波的情况。 反电势负载——整流装置输出供蓄电池充电或供直流电动机作 电源时用。 实际上属于单纯的某一种性质的负载是很少的。 确定负载性质必须根据实际情况作具体分析。 单相桥式不控整流带电阻负载时的电路及工作原理 a D4 D1 i 2 2 u b T u 1 D3 i d R u d D2 u2 0 u2 (b) D3 R D2 u2 (a) 工作原理及波形分析 VT1和VT4组成一对桥臂，在u2正半周承受电压u2，得到触发脉冲即导通，当u2过零时关断。 VT2和VT3组成另一对桥臂，在u2负半周承受电压-u2，得到触发脉冲即导通，当u2过零时关断。 u ( i ) p w t w t w t 0 0 0 i 2 u d i d b) c) d) d d a a u VT 1,4 单相桥式全控 带电阻负载时的电路及波形 a) (一)电阻性负载 数量关系： a 角的移相范围为0~180?。 晶闸管可能承受的最大反压为u2的峰值电压 流过晶闸管的电流平均值只有输出直流平均值的一半。 输出电压平均值： u 2 O w t O w t O w t u d i d i 2 b) O w t O w t u VT 1,4 O w t O w t I d I d I d I d I d i VT 2,3 i VT 1,4 单相全控桥带感性负载时的电路及波形 输出电压仍然有“拖尾”现象，使输出直流电压减小。 移相范围减小，纯电感时，移相范围为0-900 (二)带感性负载的工作情况 u 单相桥式半控整流电路 单相全控桥中，每个导电回路中有2个晶闸管，1个晶闸管可以用二极管代替，从而简化整个电路。如此即成为单相半控桥式整流电路。 单相半控桥式整流电路 3. 三相半波可控整流电路 u v w 1 2 3 id R ud 不可控整流电路的自然换相点就是可控整流电路控制角α的起点 ωt uu uw uv ud VT1控制 角起点 VT3控制 角起点 VT2控制 角起点 uuv uT1 ωt uuw ωt uu uv uw uu ud 控制角α＝０° 电流连续，１、２、３晶闸管导通角都为120° 晶闸管承受的最大反向 压降为 u v w 1 2 3 id R ud ωt iT1 u v w 1 2 3 id R ud 控制角α＝30° ωt uu uｖ uｗ uu uｄ 电流处于连续与断续的临界点，１、２、３晶闸管导通角仍为120° ωt ωt uu uｖ uｗ uu u v w 1 2 3 id R ud 控制角α＝60° uｄ iT1 α＞30°时电流断续，１、２、３晶闸管导通角小于120° （1）输出电压平均值： Ud = 0.675U2 [1+COS（ 30°+α）]（30°＜α≤150°） （2）晶闸管可能承受的最大正向电压 U2，最大反向电压为 U2。 （3）移相范围α：0 ~1500 3 6 5 2 u v R ud id L + - 1 4 w ωt uu uｖ uｗ uu ωt uuv uuw