《材料科学基础》课件之第四章----04晶体缺陷.pptVIP

第四章 晶体缺陷 4.1 点缺陷4.2 位错4.3 晶体中的界面 4.1 点缺陷 5.离子晶体缺陷 4.2 位错一、理想晶粒的滑移 理想表面 清洁表面 台阶表面 ：台阶表面不是一个平面，是由有规则的或不规则的台阶所组成的表面，由密排面构成 弛豫表面 ：由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置存在上、下位移 重构表面：表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内，但垂直方向的层间距则与体内相同 吸附表面 固体的表面自由能和表面张力 5. 润湿与粘附 沾湿：液体在固体表面上的粘附 浸湿 铺展：恒温恒压下，置于固体表面的液滴在固体表面上自动展开形成液膜，则称此过程为铺展润湿。 [112] [111] [110] (001) 周期 Pt（557）有序原子台阶表面 d0 d d0 d0 as a 也称界面，它是在清洁表面上有来自体内扩散到表面的杂质和来自表面周围空间吸附在表面上的质点所构成的表面。 根据原子在基底上的吸附位置，一般可分为四种吸附情况，即顶吸附、桥吸附、填充吸附和中心吸附等。 与液体相比： 固体的表面自由能中包含了弹性能。表面张力在数值上不等于表面自由能； 固体的表面张力是各向异性的。 实际固体的表面绝大多数处于非平衡状态，决定固体表面形态的主要是形成固体表面时的条件以及它所经历的历史。 固体的表面自由能和表面张力的测定困难。 润湿是一种流体从固体表面置换另一种流体的过程。 最常见的润湿现象是一种液体从固体表面置换空气，如水在玻璃表面置换空气并展开。 1930年Osterhof和Bartell把润湿现象分成沾湿、浸湿和铺展三种类型。 位错的滑移特点 刃位错滑移方向与外力?及伯氏矢量b平行； 螺位错滑移方向与外力?及伯氏矢量b垂直； 混合位错滑移方向与外力?及伯氏矢量b成一定角度（即沿位错线法线方向滑移）； 晶体的滑移方向与外力?及位错的伯氏矢量b相一致，但并不一定与位错的滑移方向相同 2. 位错滑移作用力 把各种力简化为沿位错运动方向的力。 切应力对位错做功：dw=τ(dsdl)b=Fds 单位长度位错受力：Fd=τb 垂直于位错线，指向位错运动方向。 代替切应力。 （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 3. 位错的攀移 3. 位错的攀移 正攀移（半原子面缩短） 未攀移 负攀移（半原子面伸长） 攀移的实质：通过原子扩散实现半原子面的向上（正）向下（负）移动，多余半原子面的伸长或缩短，位错线随之运动，运动方向垂直于b。 螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 由于原子是逐个加入，所以位错线在攀移过程中存在很多割阶。 只有在高温下才可能发生: 蠕变、回复、单晶拉制 攀移作用力 六、位错应变能 位错原子偏移正常位置，产生畸变应力，处于高能量状态，但偏移量很小，晶格为弹性应变。 位错心部应变较大，超出弹性范围，但这部分能量所占比例较小，10%，可以近似忽略。 假设： 1. 完全服从虎克定律，即不存在塑性变形 2. 各向同性 3. 连续介质，不存在结构间隙 1. 理论基础：连续弹性介质模型 单位体积弹性能： 2.螺位错应变能 取微元环r，厚度dr，总的剪切应变大小为b，均匀分布在整个周长上 各点切应变： 切应力： 微元环： 单位长度螺位错： 3.刃位错应变能 简写为： a=0.5(//)~1.0(┴) 高位错能储存在晶体内，驱动位错反应，与其他缺陷作用 七、位错线张力 位错具有应变能，具有自我降低的趋势，使位错线自动缩短至直线的趋势。类似于在位错线两端施加了线张力。 线张力T（N）和位错能U(Jm-1)在数值上相等，表现形式不同。 单根位错趋于直线保持最短长度。 多根位错结点处线张力平衡，呈空间网络状。 弯曲时一定有力的作用。 弯曲位错一定受到外力的作用，并且外力与线张力平衡 与曲率成反比 八、位错应力场及交互作用 1. 位错应力场 螺位错：纯剪切 、应变径向对称、且与到 中心距离成反比 位错存在应力场，使其他缺陷运动，产生交互作用，降低系统能量。 能量：体系稳定程度和变化趋势 力：体系变化途径和变化过程 刃位错：插入半原子面，位错上方，原子间距变小，产生压应变，下方原子间距变大，拉应变。过渡处切应变，滑移面处有最大切应力，正应力为0。 x y o 2. 位错与点缺陷 溶质大原子，周围原子受压，溶质小原子，周围原子受拉。存在应力，与位错交互作用。与刃位错作用明显。 大原子聚集在刃位错下方，小原子在上方，溶质原子和位错对周围原子的应力场互相抵消，能量降低。符合热力学条件。 溶质原子中间隙原子（C、N）尺寸小，扩散能力强，交互作用明显。符合动力学条