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3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 P N+ N 0 xjC xjE NE(x) NB(x) NC x 0 xjC xjE 本节求基区输运系数 的思路 进而求出基区渡越时间 将 E 代入少子电流密度方程，求出 JnE 、nB (x) 与 QB 令基区多子电流密度为零，解出基区内建电场 E 最后求出 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 3.3.1 基区内建电场的形成 NB(x) NB(WB) NB(0) WB 0 x 在实际的缓变基区晶体管中， 的值为 4 ~ 8 。 设基区杂质浓度分布为 式中 是表征基区内杂质变化程度的一个参数， 当 时为均匀基区； 因为 ， ，所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用，是 加速场 。 令基区多子电流为零， 解得 内建电场 为 小注入时，基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度， 将基区内建电场 E 代入电子电流密度方程，可得注入基区的少子形成的电流密度为 3.3.2 基区少子电流密度与基区少子浓度分布 根据非均匀材料方块电阻表达式，缓变基区的方块电阻为 于是 JnE 可表示为 基区少子分布 nB (x) 的表达式是 对于均匀基区， 对于缓变基区晶体管，当 较大时，上式可简化为 3.3.3 基区渡越时间与输运系数 注：将 Dn 写为 DB ，上式可同时适用于 PNP 管和 NPN 管。 对于均匀基区晶体管， 可见，内建电场的存在使少子的基区渡越时间大为减小。 利用上面得到的基区渡越时间 ?b ，可得缓变基区晶体管的基区输运系数 为 3.3.4 注入效率与电流放大系数 已知从发射区注入基区的电子形成的电流密度为 类似地，可得从基区注入发射区的空穴形成的电流密度为 式中， 于是可得缓变基区晶体管的注入效率为 以及缓变基区晶体管的电流放大系数为 3.3.5 小电流时电流放大系数的下降 实测表明， 与发射极电流 IE 有如下所示的关系。 原因：当发射结正向电流很小时，发射结势垒区复合电流密度 JrE 的比例将增大，使注入效率下降。 当电流很小时，相应的 VBE 也很小，这时 很大，使γ减小，从而使 α 减小。 式中， 当 JrE 不能被忽略时，注入效率为 3.3.6 发射区重掺杂的影响 重掺杂效应：当发射区掺杂浓度 NE 太高时，不但不能提高注入效率γ ，反而会使其下降，从而使 α 和 β 下降。 原因：发射区禁带宽度变窄 与 俄歇复合增强 。 1、发射区重掺杂效应 对于室温下的硅 ， (1) 禁带变窄 发射区禁带变窄后，会使从基区注入发射区形成的少子电流 JpE 增加，使注入效率γ下降。 NE 增大而下降，从而导致 α 与 β 的下降。 增大而先增大。但当 NE 超过 ( 1 ~ 5 )×1019 cm-3 后，γ 反而随 随着 NE 的增大， 减小， 增大，γ 随 NE (2) 俄歇复合增强 2、基区陷落效应 当发射区的磷掺杂浓度很高时，会使发射区正下方的集电结结面向下扩展，这个现象称为 基区陷落效应。 由于基区陷落效应，使得结深不易控制，难以将基区宽度做得很薄。 为了避免基区陷落效应，目前微波晶体管的发射区多采用砷扩散来代替磷扩散。 3.3.7 异质结双极晶体管（HBT） 式中， ，当 时， ，则