第4章电力电子器件的驱动与保护.pptVIP

4.2.2 电力电子器件的保护 (2) 过电流保护 图4.32 晶闸管装置可能采取的过电流保护措施 1－进线电抗器；2－电流检测和过流继电器；3－交流侧快熔； 4－晶闸管串联快熔；5－直流侧快熔；6－过流继电器；7－直流快速开关 4.2.2 电力电子器件的保护 (3) 电压上升率 及其限制 晶闸管在阻断状态下存在结电容。当加在晶闸管上的正向电压上升率 较大时，结电容充电电流起到触发电流的作用，使晶闸管误导通，造成装置的失控。因此，必须采取措施抑制 。 晶闸管的RC保护电路可以起到抑制 的作用。在每个桥臂串入桥臂电抗器也是防止过大造成晶闸管误导通的有效办法。此外，对于小容量的晶闸管，在其门极和阴极之间接一电容，使 产生的充电电流不流过结电容，而通过电容C流到阴极，也能防止因 过大而使晶闸管误导通。 4.2.2 电力电子器件的保护 (4) 电流上升率 及其限制 晶闸管在导通瞬间，电流集中在门极附近，随着时间的推移导通区才逐渐扩大，直到整个结面导通为止。在此过程中，电流上升率 应限制在通态电流临界上升率以内，否则将导致门极附近过热，损坏晶闸管。 增大阻容保护中电阻值可以减小 ，但会降低阻容保护对晶闸管过电压保护的效果。在晶闸管回路串联电感是限制 的有效方法。 晶闸管的保护是关系到晶闸管装置能否安全可靠地运行的问题，但对于保护装置的定量计算还没有成熟的和统一的计算方法，有待于进一步研究和实践。 4.2.2 电力电子器件的保护 2. 全控型电力电子器件的保护 1) GTR的过电流保护 图4.34 GTR的过电流保护电路 4.2.2 电力电子器件的保护 2) IGBT的过电流保护 (a)电阻保护电路 (b)霍尔传感器保护电路 图4.35 IGBT的过电流保护电路 4.2.3 缓冲电路 1. 缓冲电路的基本形式 缓冲电路通常由电阻、电容、电感及二极管组成，其基本类型可分为关断缓冲电路、开通缓冲电路和复合缓冲电路几种形式。 1) 关断缓冲电路 关断缓冲电路又称为 抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。 图4.36 关断缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 2) 开通缓冲电路 开通缓冲电路又称为 抑制电路，用于抑制器件开通过程中的电流过冲和 。 图4.37 开通缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 3) 复合缓冲电路 将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起所形成的电路称为复合缓冲电路，它可以在GTR关断和开通时均起到保护作用，因而在实际中应用较多。 (a)耗能式电路 (b)馈能式电路 图4.38 复合缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 2. 实用缓冲电路举例 1) 用于P-MOSFET漏源过电压保护的缓冲电路 (a) (b) 图4.39 用于P-MOSFET漏源过电压保护的缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 2) 用于IGBT桥臂模块的缓冲电路 (a)小容量 (b)中容量 (c)大容量 图4.40 用于IGBT桥臂模块的缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 4.2.3 缓冲电路 第4章 电力电子器件的驱动与保护 4.1 电力电子器件的驱动 4.2 电力电子器件的保护 第4章 电力电子器件的驱动与保护 电力电子器件以不同的电路拓扑构成不同的电力电子电路，实现各种电能转换与控制功能。为使电力电子电路能够稳定运行并获得优良电能，需要对电力电子器件进行可靠的驱动、控制与保护。 本章讲述典型触发、驱动和缓冲保护电路的组成、工作原理和特点。 本章要求熟悉常用电力电子器件的基本驱动电路与保护方法。 4.1 电力电子器件的驱动 4.1.1 晶闸管触发电路 4.1.2 GTO驱动电路 4.1.3 GTR驱动电路 4.1.4 IGBT驱动电路 4.1 电力电子器件的驱动 电力电子电路中各种驱动电路的电路结构取决于开关器件的类型、主电路的拓扑结构和电压电流等级。 采用性能良好的驱动电路，可以使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减少开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。 另外，对电力电子器件或整个装置的一些保护环节，如控制电路与主电路之间的电气隔离环节及对整个电路的缓冲环节等，也设在驱动电路或通过驱动电路来实现，这些都使得驱动电路的设计尤为重要。 4.1.