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第三章 内部存储器 3.1存储器概述 3.2SRAM存储器 3.3DRAM存储器 3.4只读存储器和闪速存储器 3.5并行存储器 3.6Cache存储器 3.1存储器概述 一、分类 按存储介质分类:磁表面/半导体存储器 按存取方式分类:随机/顺序存取(磁带) 按读写功能分类:ROM,RAM RAM:双极型/MOS ROM:MROM/PROM/EPROM/EEPROM 按信息的可保存性分类:永久性和非永久性的 按存储器系统中的作用分类:主/辅/缓/控 3.1存储器概述 二、存储器分级结构 1、目前存储器的特点是: 速度快的存储器价格贵,容量小; 价格低的存储器速度慢,容量大。 在计算机存储器体系结构设计时,我们希望存储器系统的性能高、价格低,那么在存储器系统设计时,应当在存储器容量,速度和价格方面的因素作折中考虑,建立了分层次的存储器体系结构如下图所示。 存储器分级结构 2、分级结构 高速缓冲存储器简称cache,它是计算机系统中的一个高速小容量半导体存储器。 主存储器简称主存,是计算机系统的主要存储器,用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 外存储器简称外存,它是大容量辅助存储器。 存储器分级结构 分层存储器系统之间的连接关系 器的技术指标 字存储单元:存放一个机器字的存储单元,相应的单元地址叫字地址。 字节存储单元:存放一个字节的单元,相应的地址称为字节地址。 存储容量:指一个存储器中可以容纳的存储单元总数。存储容量越大,能存储的信息就越多。 存取时间又称存储器访问时间:指一次读操作命令发出到该操作完成,将数据读出到数据总线上所经历的时间。通常取写操作时间等于读操作时间,故称为存储器存取时间。 存储周期:指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。通常,存储周期略大于存取时间,其时间单位为ns。 存储器带宽:单位时间里存储器所存取的信息量,通常以位/秒或字节/秒做度量单位。 3.2 SRAM存储器 主存(内部存储器)是半导体存储器。根据信息存储的机理不同可以分为两类: 静态读写存储器 SRAM :存取速度快 动态读写存储器 DRAM :存储容量不如DRAM大。 3.2 SRAM存储器 一、基本的静态存储元阵列 1、存储位元 2、三组信号线 地址线 数据线 行线 列线 控制线 3.2 SRAM存储器 二、基本的SRAM逻辑结构 SRAM芯大多采用双译码方式,以便组织更大的存储容量。采用了二级译码:将地址分成x向、y向两部分如图所示。 3.2 SRAM存储器 存储体(256×128×8) 通常把各个字的同一个字的同一位集成在一个芯片(32K×1)中,32K位排成256×128的矩阵。8个片子就可以构成32KB。 地址译码器 采用双译码的方式(减少选择线的数目)。 A0~A7为行地址译码线 A8~A14为列地址译码线 3.2 SRAM存储器 读与写的互锁逻辑 控制信号中CS是片选信号,CS有效时(低电平),门G1、G2均被打开。OE为读出使能信号,OE有效时(低电平),门G2开启,当写命令WE 1时(高电平),门G1关闭,存储器进行读操作。写操作时,WE 0,门G1开启,门G2关闭。注意,门G1和G2是互锁的,一个开启时另一个必定关闭,这样保证了读时不写,写时不读。 3.2 SRAM存储器 三、存储器的读写周期 读周期 读出时间Taq 读周期时间Trc 写周期 写周期时间Twc 写时间twd 存取周期 读周期时间Trc 写时间twd 例1P70:图3.5 a 是SRA的写入时序图。其中R/W是读/写命令控制线,当R/W线为低电平时,存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出图3.5 a 写入时序中的错误,并画出正确的写入时序图。 3.3 DRAM存储器 一、DRAM存储位元的记忆原理 SRAM存储器的存储位元是一个触发器,它具有两个稳定的状态。而DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路,如图3.6所示。 3.3 DRAM存储器 3.3 DRAM存储器 二、DRAM芯片的逻辑结构 下面我们通过一个例子来看一下动态存储器的逻辑结构如图。 图3.7 a 示出1M×4位DRAM芯片的管脚图,其中有两个电源脚、两个地线脚,为了对称,还有一个空脚(NC)。 图3.7 b 是该芯片的逻辑结构图。与SRAM不同的是: (1)增加了行地址锁存器和列地址锁存器。由于DRAM存储器容量很大,地址线宽度相应要增加,这势必增加芯片地址线的管脚数目。为避免这种情况,采取的办法是分时传送地址码。若地址总线宽度为10位,先传送地址码A0~A9,由行选通信号RAS打入到行地址锁存器;然后传送地址码A10~A19,由列选通信号CRS打入到列地址锁存器。芯片内部两部分合起来,地
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