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新型存储材料与设备在企业数据存储中的应用展望.pdf

新型存储材料应用展望万胜刚华中科技大学计算机学院存储所武汉光电国家实验室存储部教育部信息存储重点实验室国家信息存储专业实验室传统存储层次结构与介质内存: 低访问时延，易失 CPU缓存（SRAM ）主存（DRAM）外存：高访问时延，非易失磁盘磁带华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 2 面临的问题性能可靠性能耗/碳排放华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 3 解决方案——新型存储器件与设备 MRAM PCM NAND Flash Optical Discs 华中科技大学计算机学院存储所，武汉光电国家实验室存储部 4 MRAM & STT_MRAM SRAM与DRAM级的访问时延（1~50纳秒）非

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2020-09-19

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ddr原理简介及相关测试.pptx

学习报告;一 DDR原理简介;Input and output function description—DDR2;Input and output function description—DDR2;Bank：Bank表示一个存储阵列。在对一个存储单元进行寻址的时候，首先制定一个行地址，再制定一个列地址然后对其进行读写操作。 Page:对于Bank里面的每一行的存储单元的总和即叫做Page。 ;在DDR2初始化时候首先需要进行MRS (Mode Register Set )以及EMRS (Extended Mode Register Set )的配置。其中MRS 主要是对CAS latency, burst length, burst sequence, test mode, DLL reset, WR and various vendor specific options 实现DDR2的各种应用。 EMRS主要是对DLL disable function, driver impedance, additive CAS latency, ODT (On Die Termination), single-ended strobe, and OCD(off chip driver impedance adjustment)。;CAS Latency: CAS潜伏期。CAS为列地址选通脉冲，在列地址确定之后就可以传输数据，但是仍需要经过一段时间才会有数据发出，这段间隔的时间即为CAS潜伏期，简写为CL。 Additive Latency:简称AL。在RAS命令之后会立即执行CAS命令，CAS命令发出到被设备执行的时间则成为AL。延时参数越小，内存运行速度越快，但是有的内存不能运行较低的延时，可能会丢失数据 RL：Read Latency WL: Write Latency. RL=AL+CL. WL=RL-1 ;Burst Length:突发长度。简称为BL，Burst模式是数据连续传输的方式，连续传输周期的数量就是突发长度BL。;DM(DATA Mask)即为数据屏蔽。前面所提的数据传输的突发长度，如果连续写入数据其中有不需要的数据，就是通过DM信号来对其进行屏蔽。 1个DM信号对应8个数据位(DQ)，当DM为