电子科技大学_半导体物理课件第四章.pdfVIP

下载本文档

40
0
约 129页
2017-09-24 发布于北京
举报
版权申诉

电子科技大学_半导体物理课件第四章.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第四章半导体中载流子在电磁场中的运动主要内容 n §4.1 载流子的漂移运动和迁移率 n §4.2 载流子的散射散射理论 n §4-3 迁移率及电阻率与温度和杂质浓度的关系 (弱电场) n §4.4 Boltzman方程 n §4.5 强电场效应 n §4.6 半导体的霍耳效应 n §4.7 半导体的磁阻效应掌握载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系,霍耳效应。理解强电场效应,磁阻效应 §4-1 载流子的漂移运动和迁移率一、欧姆定律 V I 电子 R 探针注入电流密度分布微分形式： J s E 电子、空穴电流密度通过垂直于电流方向的单位面积的电流二、电子的漂移速度和迁移率有外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向定向运动成电流。电子在电场力用下的这种运动称为电子的漂移运动，定向运动的速度称为电子的漂移速度。电流密度与平均漂移速度的关系 V dt A n B ds V n 设：V 为电子平均漂移速度。 n ds表示A 处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 V dt n 在dt 时间内通过ds 的截面电荷量，就是A B面间小柱体内的电子电荷量，即 dQ nq V dsdt n 其中n是电子浓度，q是电子电荷电子漂移的电流密度J 为 n dQ J n nqVn dsdt 电流密度与电子浓度、漂移速度成正比当导体内部电场恒定时，电子具有一个恒定不变的平均漂移速度。平均漂移速度的大小与电场强度成正比： V m E n v n m 习惯上迁移率取正值 E µ称为电子的迁移率，表示单位场强下的平均漂移速度，反映了载流子在电场用下输运能力. V m E n J nq V nqm E n n 电流密度与电子浓度、迁移率成正比欧姆定律 J