模拟电子技术基础.第一章.pptVIP

模拟电子技术基础 课程内容安排 模拟电路+数字电路 理论+实验：3+2 使用教材 模拟电子技术： 江晓安.模拟电子技术(第三版).西安电子科技大学出版社. 数字电路： 阎石.数字电子技术基础(第五版).高等教育出版社. 模拟电子技术部分： 内容安排 半导体器件 放大电路分析 放大电路的频率特性 场效应管放大电路 负反馈放大电路 集成运算放大电器 集成运算放大器的应用 波形产生与变换电路 低频功率放大电路 直流电源 第1章 半导体器件 $1.1 半导体基础知识 本征半导体 杂质半导体 $1.2 PN结 异型半导体接触现象 PN结的单向导电特性 PN结的击穿 PN结的电容效应 半导体二极管 稳压二极管 二极管的应用 其他二极管 $1.3 半导体三极管 三极管的结构及类型 三极管的三种连接方式 三极管的放大作用 三极管的特性曲线 温度对三极管参数的影响 $1.1半导体基础知识 晶体管电路的核心器件：晶体管 晶体管是由半导体制成的。 半导体？ 顾名思义：导电性能介于绝缘体和导体之间的材料。 材料的导体性能：取决于其原子结构。 导体材料：一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属。 绝缘材料：一般为高价元素或高分子材料。 半导体：导电性能介于两者之间的材料，一般为4价元素. $1.1.1本征半导体 本征半导体：纯净晶体结构的半导体，即半导材料的晶体。常用的半导体材料：硅、锗 本征半导体的共价键晶体结构 本征半导体的导电性能 在特定温度条件下，自由电子和空穴的浓度是相同的。 温度越低，其浓度越小，导电性能越差。 温度越高，其浓度越大，导电性能越好。 在外加电场作用下， 自由电子产生定向移动，形成电子电流。 而空穴则被反向依次填充，形成空穴电流。 本征半导体中的载流子为：自由电子和空穴。 因此，半导体中存在两种载流子，即带负电的自由电子和带正电的空穴。 对于硅材料，温度每升高8℃，其载流子的浓度增加1倍。 对于锗材料，温度每升高12 ℃，其载流子的浓度增加1倍。 $1.1.2杂质半导体（掺杂半导体） 本征半导体：存在两种载流子，但浓度小，其导电性能很差。 当向本征半导体中加入特定少量的杂质时，会使其导电性能增强很大 ，掺杂浓度越大，导电性能越强。掺入杂质的半导体，称为杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，可掺杂半导体可分为 在本征半导体中，掺入微量的5价元素，如磷、锑、砷等，得到的杂质半导体称为N型半导体。 在本征半导体中，掺入微量的3价元素，如硼、镓、铟等，得到的杂质半导体称为P型半导体。 N型半导体 在本征半导体中，掺入微量5价元素之后，其晶格中的某些硅（锗）原子被杂质原子代替。 由于杂质原子的最外层有5个价电子，它与周围的4个硅（锗）原子组成共价键时，还多余1个价电子。 该价电子不受共价键的束缚，仅受其原子核的束缚，只需要较少的能量就能成为自由电子。这样，掺杂半导体的载流子为： 自由电子：半导体元素热激发产生的自由电子+掺杂元素热激发产生的自由电子。 空穴：半导体元素热激发产生的空穴。 很显然，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。正因为多数载流子是带负电(Negative)的，这种杂质半导体称为N型半导体。 P型半导体 在本征半导体中，掺入少量的3价元素，如硼、镓、铟等。 空穴的形成 杂质原子的最外层只有3个价电子，当它与周围的硅（锗）原子组成共价键时，因为缺少一个电子，形成一个空位。而其他共价键的电子，只需要摆脱一个原子核的束缚，就会转移到该空位，形成为空穴。 很显然，一个空穴的形式，? 导致一个带负电的杂质离子，而该杂质离子处于半导体的晶格上无法移动，不能参与导电。 这种杂质半导体中的载流子为： 自由电子：半导体元素热激发产生的自由电子。 空穴：半导体元素热激发生产的空穴+杂质元素产生的空穴。 带正电(Positive)的空穴是多数载流子，这种杂质半导体称为P型半导体。 杂质半导体的特性 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于掺杂浓度，而少数载流子取于温度。 经过证明，电子与空穴之间存在如下的浓度关系： 电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关. P型半导体与N型半导体虽然各自都有一种多数载流子，但其内部的正负电荷平衡，对外仍呈电中性。 它们的导电特性主要由掺杂浓度决定，利用它们各自的导电特性制作成各种各样的电子器件。 $1.2 PN结 在一块半导体上，用特定的制造工艺，使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，则在两种半导体的交界处形成了PN结。 PN结是构成其他半导体器件的基础。 1.2.1异型半导接触现象 当N型半导体与P型半导体接触时，由于两者中载流子的浓度差异，而产生的扩散运动。 电子由N区向P区扩散 空穴由P区向N区扩散 交界面处留下不能移动带电荷的杂质离子 两侧的带电