PNP与NPN 三极管.pdfVIP

三极管的工作原理 时间：2008-12-28 20:11:01 来源：资料室 作者：电磁阀 编号:7287 更新日期070506 结构与操作原理 三极管的基本结构是两个反向连结的 pn 接面，如图 1 所示，可有 pnp 和 npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B） 和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也 显示出 npn 与 pnp 三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为 n 型 半导体，和二极管的符号一致。在没接外加偏压时，两个 pn 接面都会形成耗尽 区，将中性的 p 型区和 n 型区隔开。 图 1 pnp(a)与 npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn 接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分 类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此 区 EB 极间的 pn 接面维持在正向偏压，而 BC 极间的 pn 接面则在反向偏压， 通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图 2(a)为一 pnp 三极管在此偏压 区的示意图。 EB 接面的耗散区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变 小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而 BC 接面的耗 尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图 2(b)画的是没 外加偏压，和偏压在正向活性区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的 pn 二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就 在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之 pnp 三极管 为例，射极的电洞注入基极的 n 型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽， 然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达 BC 接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多 数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流 IC。 IC 的大小和BC 间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞 复合部分的电子流 IBrec，与由基极注入射极的电子流 InB? E （这部分是三 极管作用不需要的部分）。 InB? E 在射极与与电洞复合，即 InB? E=IErec 。 pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图 3(a)中看出。 图 2 (a)一 pnp 三极管偏压在正向活性区； (b)没外加偏压，和偏压在正向活性 区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图比较。 图 3 (a) pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类； (b)电洞电位能分布及 注入的情况； (c)电子的电位能分布及注入的情况。 一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射 极注入基极的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE? B 电流会比 由基极注入射极 的载体电子电流 InB? E 大很多，三极管的效益比较高。图 3(b)和 (c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情况。同时如果基 极中性区的宽度 WB 愈窄，电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的 机率愈低，到达集电极的有效电洞流 IpE? C 愈大，基极必须提供的复合电子 流也降低，三极管的效益也就愈高。 集电极的掺杂通常最低，如此可增大 CB 极的崩溃电压，并减小 BC 间反向偏压的pn 接面的反向饱和电流，这里我 们忽略这个反向饱和电流。 由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来： 射极电流 I=IpE? B+ IErec = IpE? B+ InB? E =IpE? C+ I + InB? E (1a) E Brec 基极电流 IB= InB? E + I = I + I (1b) Brec Erec Brec 集电极电流 I =IpE? C= I - I - I = I - I (1c) C E Erec Brec E B 式 1c 也可以写成 I = I +