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M25P32 32Mbit，低电压，75MHZ，SPI串行接口的flash存储器 特征： 32Mbit的flash。 单电源供电2.7~3.6V。 SPI总线通讯。 75M时钟（最大） VPP=9V快速读写电压 页操作时间0.6ms 擦出一个扇区时间0.6s 整块擦除时间：标准23s，快速17s 睡眠模式电流1uA BP0,BP1,BP2硬件写保护选择位 擦写次数可达100000次 数据可保存20年 目录 描述 信号描述 数据输出 数据输入 时钟 片选 保护 写保护,提高编程电压 工作电压 电源地 SPI协议 操作方法和时序 页操作 扇区的擦除和整块的擦写 写检测和循环擦除 快速编程和擦除操作 激活，正常工作，睡眠模式 状态寄存器 保护方法 保持条件 存储组织结构 操作说明 写操作使能 使能复位 读器件ID 读状态寄存器 WIP位 WEL位 BP2,BP1,BP0位 SRWD位 写状态寄存器 读数据操作 快速读数据操作 页操作 扇区擦除操作 整个器件擦除 睡眠模式 激活器件 7 原始状态 极限参数 DC和AC参数 硬件结构 编号 修订记录 1 描述 M25P32是32Mbit（4M*8）的串行flash存储器，具有增强写保护结构。存取采用SPI总线协议。一次性可编程1-256个字节（参考页编程操作说明）。 增强型快速编程、擦除模式可适用于需要快速存储的场合。当VPPH 达到写保护或增强编程电压时即可进入此模式。 存储结构分为64个扇区，每个含有256页，每页256字节的宽度，所以整个器件可以看成有16384页组成（或者4194304个字节组成） 整个器件的擦除（参考整块擦除说明），一次擦除一个扇区（参考扇区擦除说明） 图1 表1 信号端口 功能 说明 C 时钟 输入 D 数据输入 输入 Q 数据输出 输出 S 片选 输入 W/VPP 写保护，高编程电压 输入 HOLD Hold 输入 VCC 电源 输入 VSS 地 图2 信号描述 串行数据输出（Q） 串行数据输入（D） 图3 1．DU = Don’t use 2.3 串行时钟信号 2.4片选（） 当片选端输入为高时，那么取消选定器件，此时串行数据输出为高阻态，除非内部编程，循环对擦除、写寄存器进行操作，器件将工作在标准电源模式下（非睡眠模式） 当器件片选信号拉低使能时，即器件进入正常工作模式。在写入任何指令操作前，必须进行上电，拉低片选端(片选使能)。 控制信号 控制信号用于终止任何器件与外部的通讯，在控制信号条件下，输出端口（Q）为高阻态（输入端口（D）、时钟信号（C）不用考虑）。 写保护、提高编程电压 是控制输入和电源的引脚，这两个功能是根据供电电压的范围来选择。如果输入电压在低压范围（0-Vcc）此时作为控制输入功能，这种控制信号保护存储单元（写保护），禁止编程和擦除操作（参考BP2,BP1,BP0位的在状态寄存器中的状态）。 SPI通信协议 M25P32与微控制器（单片机等）进行通讯是串口SPI通讯方式，有两种模式： ◆ CPOL = 0, CPAL = 0 ◆ CPOL = 1, CPAL = 1 这两种模式，输入信号都是随着时钟信号的上升沿而跳变，输出信号都是时钟信号的下降沿而变化。这两种模式的不同之处是在通信开始和结束时时钟的极性不同（看图5） ◆ C保持 0 （CPOL = 0, CPAL = 0） ◆ C保持 1 （CPOL = 1, CPAL = 1） 图4 Note：1.写保护和HOLD功能应该设置，是高还是低适当设置 这是三个设备与MCU基于SPI总线的连接图，一次只能有一个设备与MCU进行通讯，也就是在Q 线上一次只有一个设备在输出数据，其他设备呈高阻态。电阻R确保M25P32在总线中（）线呈高阻态时不被选择。当总线进入一种状态—输入和输出端口同时呈高阻态（例如当总线复位时），时钟线（C）必须接一个下拉电阻，原因在于当输入/输出端口变为高阻态时，片选（）线拉高同时时钟线（C）拉低，这样就保证（）与（C）不同时变高，这样就符合时序要求。R的标准值是100K。冲放电时间常数R*Cp（Cp总线的寄生电容），要小于总线控制器保持SPI总线呈高阻态的时间。例如Cp=50PF,那么R*Cp=5us，那么总线控制器保持SPI总线呈高阻态的时间一定要大于5us。 图5 器件操作方法 4.1 页编程 去编程一个字节数据，两个指令要求：写指令（WREN），这是一个字节，和页编程（PP）顺序，其中包含四个字节和数据。这是按照内部编程循环周期。 页编