改良西门子工艺生产多晶硅的安全问题.pdfVIP

专项研究 《安全》2010 年第 2 期 改良西门子工艺生产多晶硅的安全问题 司 恭 1，2 1. 中国地质大学（武汉）工程学院 2. 河南省安全科学技术研究中心 【摘要】 本文结合我国多晶硅行业的实际情况，针对改良西门子工艺的特点，对多晶硅生产过程中涉及的危险 有害物质和危险有害因素进行了系统全面的分析，并提出了合理可行的安全对策和建议。 【关键词】 改良西门子工艺 ；多晶硅 ；安全 多晶硅是信息产业和光伏产业的基础材料，属 破碎等后处理工序，即得到多晶硅产品。还原炉产 于高耗能和高污染产品。改良西门子工艺是其主流 生的大量尾气经回收系统，将其中各组分回收和分 工艺，其产能约占多晶硅总产能的 80％。因其工艺 离，得到三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气。三 复杂，而且生产过程中的原料、介质大多属于易燃、 氯氢硅送精馏提纯，再返回还原系统 ；氢气经提 有毒、腐蚀性危险化学品，故使得多晶硅生产过程 纯后返回还原炉生产多晶硅 ；无水氯化氢送去制 兼有易燃易爆、有毒有害的特点。伴随着多晶硅产 盐酸。副产物四氯化硅则经提纯后送氢化装置转 能的迅速增加、多晶硅企业的大量涌现以及单套装 化成三氯氢硅返回还原系统使用，其工艺流程如 置产能的大幅提高，多晶硅企业的事故隐患在迅速 图所示。 增多，安全形势日益严峻。 制氢站 1 改良西门子工艺概述 H2 粗SiHCL3 多晶硅 改良西门子工艺是在传统西门子工艺的基础 SiHCL3 提纯 SiHCL3 还原 SiH CL H2 上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴 2 2 SiHCL 硅粉 还原尾气 HCL去制酸 生的大量 H 、HCl、SiCl 等副产物和大量副产热 SiCL4 氢化 回收分离系统 2 4 SiHCI3 能的配套工艺。该方法的关键技术我国以前一直没 H2 SiCL4 有掌握，近年来在研究上有所突破。其整体工艺概 图 多晶硅生产工艺流程示意图 况为 ： 该工艺过程一般包括以下主反应化学方程式 ： 粗三氯氢硅经过连续精馏提纯，得到高纯三氯 Cl + H = 2HCl 2 2 氢硅。高纯三氯氢硅与高纯氢气按适宜的配比送还 Si + 3HCl = SiHCl3 + H2 原炉，在 1050℃的高纯硅芯载体表面发生还原反 SiHCl + H = Si + 3HCl