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洁净室频道：工艺过程的净化 不管是工艺设备、过滤器、隔断、大气质量监视器的制造者还是晶片制造厂本身，整个行业每个成员都在保持生产环境清洁方面起着作用。任何可能的原因都可能引起污染事件：可能是过滤器故障；可能是超过了正常工作期；可能是采用一件新工具或设备将污染引进了工艺过程；也可能是开始时空气质量不好，或者是传感器传递信息不够快或不够详细不能实时响应。 　　最好是上述所有因素都结合在一起，将过滤器和监视器装进工艺设备中，以便能够监视污染事件。但是，在多数场合下，这只能是将来的设想。在今天的洁净室里，大多数工业公司仍然单独工作，分别对工艺设备、过滤器、设备和晶片进行安装，相互之间没有合作，只是在事后要面对污染问题才走到一起。 　　因此，如果发生污染事件，生产受到影响，是谁的问题呢？这个问题的答案经常取决于你问谁。 　　确定事故原因 　　随着半导体工业向193 纳米光刻技术的发展，已开始对分子污染进行监视和消除。最近国际半导体技术发展蓝图中增加了对酸的控制，更好的解决存在的问题。酸性物质用于洁净室、光刻工艺，裸露的铝和铜晶片和掩模中。 　　Texas Instruments公司工程师John Degenova博士说：“在工艺设备和室内有很多化学品，但是哪一个是‘坏’的，这取决于你的问题是什么。”来自外部空气的二氧化硫、臭氧和有机物，以及来自厂内的酸、碱、掺杂剂和有机物等都要在成功的AMC控制程序中进行考虑。 　　化学污染物可能来自厂内任何地方，它们在受控条件下可能正常无害，但是释放出来，即使微量也有毒性。来自洁净室结构材料、晶片工艺设备的释气、晶片包装以及晶片工艺中用的化学品的排放散逸是目前考虑到的主要AMC源。 　　除AMC的酸性在暴露的产品晶片上引起的损害以外，高能激光器增加了与氨水（NH3）反应能力，在光学器件和掩模上形成硫酸铵晶体。时间一长，污染程度增加，模糊度就会更大，从而降低传输性。 　　一些先进的光刻技术中，即使有少量的碳氢化合物也可是有害的，因为这会增加暴露表面的粘附性，可能引起光化学降解将残余物留在透镜、掩模和镜子上。同样，其他潜在的杂质，例如硅氧烷或者有机磷酸酯，即使数量非常小，也可能有害。 　　Dave Ruede说：“含硅的有机物也可能成为问题，因为它们对光非常敏感，特别是193纳米的波长。”Dave Ruede是位于加利福尼亚圣迭戈市的Entegris公司气体微污染事业部产品推广主任。 　　目前，在洁净室里的与化学污染物之间的战争主要围绕在光刻设备和掩模上，因为它们最精密，对生产影响最大。“目前，在污染控制方面重点是掩模和光刻方面”，Ruede说。“随着薄膜越来越薄，对工艺设备的化学纯度要求越来越高”。 　　因为在工艺过程的各步骤中，晶片受到的风险性最大，许多厂家都在寻找方法利用在洁净室围绕工艺设备建立微环境或小室对这些步骤进行封闭，但是即使这样，仍有问题和风险。例如，如果洁净室内布局允许，可以在洁净室内建造一个小室完成全部光刻步骤。但是如果工艺设备遍及整个洁净室，这就行不通。 　　或者，在光刻工艺设备中围绕工艺区建造一个微环境，保护设备或产品免受周围空气的污染，但是在设备中用的硅氧烷和氨水如果不进行控制，就会对设备内的晶片或透镜有可怕的影响。 　　一旦晶片处于受控工艺步骤之外，可将它们放进容器以免受到有害化合物的影响，但是来自使用的塑料晶片盒的释气可能有不利影响。 工艺过程中的其它步骤也有可能产生问题，例如门口区，Degenova说。他预言这是下一个要解决的大的污染挑战 资料来源：深圳市君信达环境控制系统有限公司 地址：深圳市南山区创业路中兴工业城11栋425 网址：