水污染控制--光催化氧化技术.ppt

水污染控制 光催化氧化技术 目 录 2 光催化氧化技术的基本原理及特点 1. 光催化氧化技术的影响因素 2. 光催化氧化技术存在问题 .3 参考文献 .4 光催化氧化技术的概念 3 光催化氧化是在反应溶液中加入一定量的半导体催化剂，使其在紫外光的照射下产生 ，通过 的强氧化作用降解有机污染物。 4 光催化氧化技术的基本原理—半导体的能带理论 当用能量等于或大于禁带宽度的光照射时，半导体价带上的电子e-被激发跃迁到导带，同时在价带产生相应的空穴h+，这样在半导体内部生成e-- h+对。它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动，与吸附在半导体催化剂粒子表面上的物质发生氧化或还原反应。 5 图1 光催化氧化原理图 价带 禁带 导带 还原性物质被空穴h+氧化 氧化性物质被电子e-还原 6 常用的催化剂 光催化氧化常用的催化剂有：TiO2、ZnO、CdS、WO3 等。TiO2原料易得，耐腐蚀性能好，对光的稳定性强，且具有较强的光催化氧化能力，是使用最多的光催化剂。 图2 TiO2光电效应图 7 TiO2光催化机理 8 光催化氧化技术的特点 适用范围广，处理效果好 反应成本低且反应条件温和 反应易于控制且反应过程不产生二次污染 反应速度快 9 光催化氧化的影响因素— 催化剂用量 有机污染物的降解率开始随TiO2用量的增加而提高，当量增加到一定量时降解速率不再提高， 反而有所下降。 开始速率提高是因为催化剂的增加，产生的 增加，当催化剂增加到一定的程度时，会对光吸收有影响。 10 Fig.3 Effect of catalyst loading on photocatalytic degradation rate of Brij 35 Experimental condition :[Brij 35]0=0.25mM,I=19.9mW cm-2,VL=250mL,T=298K,pH7.0 最佳催化剂量0.1g/L 11 Fig.4 Effect of catalyst loading on PCD of phthalic acid(phthalic acid concentration=100mg/L,reaction time=6h) 12 光催化氧化的影响因素— 污染物种类 吸附到TiO2表面的速度较快,但降解速度较慢 苯环结构易受 攻击 有机污染物 以长碳链 为主的 烷烃类 含苯环的 芳香族类 化合物 13 Fig.5 Degradation of various aromatic carboxylic acids with time(acid concentration=100mg/L,catalyst amount=2.5g/L) 邻氯苯甲酸 苯甲酸 邻苯二甲酸 邻硝基苯甲酸 14 光催化氧化的影响因素—温度 受温度影响的反应步骤主要是吸附、解吸、表面迁移和重排,而这些均不是决定光反应速率的关键步骤,因而反应温度对光催化降解污染物的影响很小。 15 麦草畏化学结构 Fig.6 Effect of temperature on the solar photocatalytic degradation of dicamba in aqueous solution. Insert figure:plot of Ln(k) versus 1/T.Dicamba=10μg/mL, TiO2=30mg(1mg/mL), irradiation time=10min, light intensity=1.6 mW/cm2, pH5.0. 16 光催化氧化的影响因素— 温度 Fig.7 Proposed photocatalytic degradation pathway of dicamba. 17 光催化氧化的影响因素— pH 　 反应体系的pH值对TiO2表面态、界面电位和表面电荷及聚集性均有较明显的影响。 pH较低时,TiO2表面质子化,使其表面带有正电荷,因而对光生电子向TiO2表面转移有利； pH较高时,OH-将使TiO2表面带有负电荷,有利于空穴从颗粒内部转移到颗粒的表面； 因此,光催化氧化一般在pH值较高或较低时反应速度最大。 18 Fig.8 Effect of initial pH on the solar photocatalytic degradation of dicamba in aqueous solution.Dicamba=10μg/mL, T