《模拟电路基础》 20090903 第二次课.pptVIP

绪论 半导体 晶体结构、导电特性、导电机理 ☆ 常用的半导体材料 ☆ 本征半导体——化学成分纯净的半导体 共价键结构 本征激发 本征半导体中的载流子 载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使两者同时消失的现象。 杂质半导体—— 掺入杂质的半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体 P型半导体 杂质半导体的载流子浓度 在本征Si或Ge中掺入少量的Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体，也称为电子半导体。 杂质原子替代晶体点阵中的某些Si原子，它的四个价电子与相邻的四个Si原子形成稳定的共价键时，多出的一个价电子只能位于共价键之外，且几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子。 因杂质原子“施舍” 电子，被称为施主原子，这一现象称为施主电离。施主电离产生自由电子-正离子对，不产生空穴。 施主离子被束缚在晶格中，不能自由移动，因而不能参与导电。 在本征Si或Ge中掺入少量Ⅲ族元素（如硼、铝和铟等）后，空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体，也称为空穴半导体。 杂质原子替代晶体点