高压下SnO的电输运行为研究.docVIP

  高压下 SnO 的电输运行为研究# 张俊凯，刘才龙，张继野，李岩，苏宁宁，王庆林，李玉强，韩永昊** （吉林大学原子与分子物理研究所超硬材料国家重点实验室，长春 130012） 5 10 15 20 25 摘要：通过测量原位霍尔效应和电阻率随温度的变化，SnO 在高压下的电输运性质得到了研 究。霍尔效应的实验结果很好的展现了 SnO 在高压下的载流子输运行为，表明 SnO 在 1.3GPa 处经历了 P 型到 N 型的载流子转变，同时在 2-3GPa 处有一个潜在的相变发生。此外，电阻 率随温度的变化证明 SnO 在 5GPa 处发生了由半导体到金属的相变。特别的是，根据实验得 到的数据给出了一个示意图来说明 SnO 随温度和压力的变化。 关键词：凝聚态物理；霍尔效应；相变；半导体到金属转变 中图分类号：0469 The electrical transport behavior of SnO under high pressure ZHANG Junkai, LIU Cailong, ZHANG Jiye, LI Yan, SU Ningning, WANG Qinglin, LI Yuqiang, HAN Yonghao (State Key Laboratory of Superhard Materials, Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University, Changchun, 130012) Abstract: By means of the accurate in situ Hall-effect measurements and the temperature dependence of electrical resistivity measurements, the electrical transport properties of SnO under high pressure are investigated. The results of Hall-effect measurements display the carrier transport behavior of SnO under pressure, which indicates that SnO undergoes a carrier-type inversion around 1.3 GPa and an underlying phase transition at 2-3 GPa. In addition, the temperature dependence of electrical resistivity shows that SnO undergoes a semiconductor-to-metal transition around 5 GPa. In particular, based on experimental results a sketch is drawn to account for the variation of SnO with temperature and pressure. Key words: Condensed matter physics; Hall-effect; Phase transition; Semiconductor-to-metal transition 30 0 引言 氧化亚锡在很多方面具有广泛的应用，它可以用于催化剂、还原剂、玻璃工业、电镀锡、亚 锡盐的制备等[1-5]。特别是，由于它具有更有效的空穴输运途径和更高的空穴迁移率而被大 量的用作 P 型半导体器件，进而广泛应用于光电子器件的制备[6.7]。例如，SnO 可以用作生 35 40 产具有良好 P 型特性的薄膜晶体管（TFTs）[7.8]。 氧化亚锡在常压下具有四方的一氧化铅类型的结构，记作 α -SnO，空间群为 P4/nmm （No.129）。如图1 所示，在α -SnO 的结构中，每四个锡原子与一个氧原子形成一个金字 塔型的四面体，锡原子处在金字塔的顶角，所有锡原子和与其最近邻的氧原子之间距离都是 2.22?[9.10]。整个结构是由一层层的Sn-O-Sn 层构成,层与层之间是由相对较弱范德瓦尔斯力 结合[11]。 目前对α -SnO 的高压的研究还很少。早期的 XRD 实验证实α -SnO 在 1.5-2.5GPa 会相变到 一个正交结构，记作 γ-SnO[12-14]。随后，Li 等人[15]的第一性原理计算进一步地表明α -SnO 在 基金项目：教育部新教师基金（Grant No.200801831007） 作者简