基于C-MEMS的纳米线的制备及其热电性能的研究方法.docVIP

  基于 C-MEMS 的纳米线的制备及其热电性 能的研究方法# 徐亮亮1,2，习爽1,2，刘丹1,2，龙胡1,2，汤自荣1,2** 5 10 15 20 25 30 35 （1. 华中科技大学机械学院，武汉 430074； 2. 武汉光电国家实验室，武汉 430074） 摘要：大量的理论和实验证明，低维化能提高材料的热电性能。通过研究发现氮氧硅纳米线 可能具有良好的热电性能。本文主要介绍了基于 C-MEMS 的硅纳米线的制备方法及工艺，并 介绍了纳米材料的热电性能的研究方法。其中包括纳米薄膜的电导率的检测，以及 Seebeck 系数的测量。进行对氮氧硅纳米线在热电性能方面的研究以希望开发出新的热电材料。 关键词：半导体技术；C-MEMS；纳米结构；热电性能；热电材料 中图分类号：TN377 Large-scale Synthesis and characterization methods of the nanowires based on C-MEMS XU Liangliang1,2, XI Shuang1,2, LIU Dan1,2, LONG Hu1,2, TANG Zirong1,2 (1. Mechanical ,Huazhong university of science and technology, WuHan 430074; 2. Wuhan National Laboratory For Optoelectronics, WuHan 430074) Abstract: Large number of theoretical and experimental show that low-dimensional technology can improve the thermoelectric properties of materials.We found SiNXOY nanowires is a potential thermoelectric material.This article describes the growth of the silicon nanowires based on C-MEMS and introduces the methods to obtain the thermoelectric properties(conductivity and the Seebeck coefficient) of nanomaterials.Further research will be taken of SiNXOY nanowires on thermoelectric performance to synthesize a new potential thermoelectric material. Keywords: semiconductor; C-MEMS; nanostructure; thermoelectric performance; thermoelectric materials 0 引言 热电材料是一种能直接进行热电转换的功能材料[1]。其在热能发电，无污染、无噪声的 制冷或制热系统，废气余热的利用等领域都有较广的应用。热电材料的热电性能由其热电优 值 ZT(figure of merit)来标量，其定义为 ZT=S2σT/κ，其中 T 为绝对温度，S 为 Seebeck 系 数，σ为电导率，κ为热导率。目前研究较成熟的热电材料有 Bi2Te3、PbTe 和 Si-Ge 合金。 提高材料热电性能的方法有很多。比较常见的是在不改变材料电学性能的情况下提高材料的 热阻率，这在过去研究较多[2][3]。但是 Spitzer[4]指出 2nW/cm·K 是半导体晶格的热导系数的 最低极限。于是各种其它的提高材料热电性能的方法应运而生。Hicks 等[5]的研究指出低维 的纳米热电材料的热电性能或将得到大幅度提高。所以微纳结构半导体的热电性能的研究成 为了新的重点。而通过研究发现，除了 Bi2Te3、PbTe 等材料，基于 C-MEMS 的氮氧硅纳米 线也可能存在较好的热电性能。 基金项目：高等院校博士学科点专项科研基金（20080471151） 作者简介：徐亮亮，（1988-），男，硕士研究生，微纳结构的制备与研究。 通信联系人：汤自荣，（1968-），男，副教授，主要从事光电材料与微纳加工的研究。 E-mail: zirong@mail.hust.edu.cn -1- 1 纳米线的制备   40 45 50 55 60 65 70 75  1.1 光刻 纳米线的制造方法有很多，我们纳米线的制造主要是基于 C-MEMS 系统的。首先进行 光刻。光刻