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GaN缓冲层 蓝宝石衬底 n-GaN InGaN 多量子阱 P-GaN 减薄、研磨 GaN缓冲层 蓝宝石衬底 n-GaN InGaN 多量子阱 P-GaN 蒸镀DBR 【注】DBR:Distributed Bragg Reflector,分布布拉格反射 SiO2 Ti2O5 裂片 激光划片 芯片尺寸 外型尺寸，单位mil（英制） 1mil=1/1000 英寸 =25.4μm 芯片是由外延片切出来的 例如：直径为2英寸的外延片切成尺寸11*9mil的芯片，理论上共能切成多少颗？ 晶圆圆面=πr2=3.14×645.16×10 6μm2 芯片面积=长*宽=63870.4 μm2 N=晶圆圆面/芯片面积=32740（颗） 外延 芯片 技术与管理 技术要求较高；管理要求相对较低 管理要求较高；技术要求相对较低 重点：技术进步 重点：条件控制 SPC控制、6σ管理； 预防永远比补救重要！力争一次把事情做好！ 好的产品是做出来的，不是检验出来的。 质量管理的基本理念 质量管理主要目的是及时向生产线反馈信息，预防异常发生。 不仅要有好的工艺方案，而且要坚决执行。 质量提升无止境！ 抗静电能力（ESD） ESD（Electro-Static Discharge）即静电放电，通常用来评价电子器件对静电的承受能力。 LED行业通常的做法是在芯片（或者封装好的LED）上反向加载一个脉冲电压（模拟静电冲击），然后测试芯片（或者封装好的LED）的漏电(≦0.2微安)，以此来评估芯片的抗静电能力。 LED ESD水平的高低处决于外延晶体质量、芯片制作过程。 LED基本知识培训 大纲 1、引言 2、封装与应用 3、外延片生长 4、芯片制作 P N 晶体二极管是一种由P型半导体和N型半导体形成的p-n结器件，最显著的特征是单向导电性（整流特性）。 1、单质半导体Si、Se等， 2、化合物InP、GaN、GaAs、SiC、ZnS、ZnO等 1、引言 半导体材料分类： LED（light emitting diode）发光二极管 除了具有一般二极管的特性外，正向导通时能发出各种波长（颜色）的光。 P N 多量子阱 （MQW） 1、LED使用的都是化合物半导体材料 2、PN结之间插入多量子阱结构提高发光效率 3、LED发光波长主要由多量子阱组分决定 LED 问世于20世纪60年代，起源于美国，在日本发扬光大。 70年代初，美国杜邦化工厂首先研发出镓砷磷 LED，发桔红色，可作仪器仪表指示灯用。 随着技术进步，LED发光颜色覆盖从黄绿色到红外的光谱范围。 80年代后，用液相外延技术，制作高亮度红色LED和红外二极管。 MOCVD技术用于外延材料生长后，红光到深紫外LED亮度大幅度提高 AlGaAs使用于高亮度红光和红外LED。 AlGaInP适用于高亮度红、橙、黄及黄绿LED。 GaInN适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED。 90年代半导体材料GaN使蓝、绿色LED光效达到10 lm/w，实现全色化 LED光学特性 波长 ?光是一种电磁波 ?波长决定光的颜色 ?可见光的波段从紫光(约 380nm )到红光(760nm ) 不可见光的波长 红外线长于 760nm * 紫外线短于 380nm 主波长(λd) 用来表示光的颜色 主 波长就是相邻的波峰之间或者是波谷之间的距离。 我们平时测试出的波长和产品出库时，均以主波长为准。 主波长一般为积分算出来的，他大体表征的是光的颜色 2、封装与应用 LED应用 显示 照明 :发光后能被人看到,传递信息 :发光后照亮别的物体，使别的 物体能被人看到。 应用 :显示屏、信号指示、景观装饰 应用 :各种光源、液晶背光源 LED具有亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点 LED封装 直插式 贴片式 (Lamp) (SMD) 【注】SMD:Surface Mounted Devices,表面贴装器件 LED显示屏 LED信号指示 LED照明（SSL） 【注】SSL:Semiconductor Soli