电气自动化专业毕业论文--全桥移相IGBT单相交流输入逆变弧焊电源设计.docVIP

毕业设计(论文) 题 目 全桥移相IGBT单相交流输入 逆变弧焊电源设计 引 言 逆变焊接电源具有很大的发展潜力，这是因为新的变换技术、新的电子器件、新的磁性材料、新的软件和新的控制理论不断地出现并且应用到焊接电源的缘故。新的拓扑理论和新器件的出现使得逆变焊接电源技术日趋成熟、可靠、经济、适用，这就使得逆变焊接电源具有更强的竞争力，其应用也更为广泛。本文回顾了逆变弧焊电源的发展和现状，指出了我国逆变弧焊电源发展存在问题和对策。在我国生产的产品,它们的可靠性和稳定性差以及返修率高等问题一直制约着它的生产应用和进一步发展。本次设计研制出的逆变弧焊电源具有性能价格比高、体积小、重量轻、损耗小、效率高、可靠性高、抗干扰能力强、稳定性好、静差小、动态响应快和功能齐全的优点。 IGBT逆变式手弧焊电源是一种新型手弧焊电源,由主电路、控制电路和驱动与保护电路三部分组成。其中主电路由输入输出整流滤波电路和逆变器等部分组成,直接为电弧负载提供电功率。主电路设计是否合理直接影响电源装置的可靠性和效率。 1. 逆变焊接电源的概述 1.1 逆变焊接电源的历史发展 根据权威资料的统计，世界钢产量的一半以上是用焊接工艺把它们制成钢制品。众所周知，焊接工艺是依靠焊接电源设备来实现的。在目前的现实情况中，三大焊接方法（熔化焊，压力焊，钎焊）中熔化焊占有最大的比重,而电弧焊方法又占熔化焊的比例超过八成以上，可见焊接是以电弧焊为主的。 弧焊已有近百年的历史,早期是采用蓄电池作为电源。在20世纪初人类发明了弧焊发电机，20年代制成交流弧焊变压器，到了60年代，由于硅整流组件、晶闸管等器件的研制成功，出现了硅弧焊整流器。到了70年代末80年代初，随着大功率晶体管（GTR）、场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等的出现和集成电路技术的发展，为电子弧焊电源的发展提供了更广阔的空间。在电源设备中，电力半导体器件是构成各种电力电子电路的三大核心元件（开关器件、电感和阻容元件）中最为关键的器件。这些开关器件性能的优劣，可以在很大程度上决定电力电子设备的技术经济指标。 1.1.1 功率半导体器件的发展状况 (1) 整流器 在50年代初，普通的整流器（Semiconductor Rectifier—SR）已经获得了较多的应用，实际上已经取代汞弧整流器。这是因为它的正向通态压降（1V左右）远比汞弧整流器的（10～20V）小的多，从而大大提高了整流电路的效率。普通整流器通常应用于400Hz以下的整流电路中。随着中频（10kHz以下）和高频（10kHz以上）整流应用的开展，人们又开发出快恢复整流器以及适合于低压高频整流应用的肖特基整流管。这些快速整流器件的诞生,都是围绕着缩短整流器件的正反向恢复时间，即降低整流器件的开关损耗为目的进行研究所获得的结果。为了进一步降低高频低压开关电源中开关器件的损耗,80年代中后期，同步整流器也应运而生。 (2) 晶体管 1948年美国贝尔实验室发明第一只晶体管以来，经过20多年的努力，到了70年代，用于电力变换的晶体管已进入工业应用阶段。最近10年，研究人员又 在工艺改进、晶体管模块化以及驱动电路集成化等方面进行了许多研究，使得晶体管的性能变得更好，应用起来也更加方便，它被广泛的应用于数百千瓦以下的功率电路。功率晶体管的工作频率比晶闸管高，达林顿功率晶体管可工作在10kHz以下，非达林顿功率晶体管的工作频率高于20kHz。这样，PWM技术在晶体管变换电路中得到了广泛的应用，并促使装置性能的进一步提高和传统直流电源装置的革新，出现了所谓的“20千周革命”，直流线性调整电源迅速被20kHz开关电源所取代。目前100kHz开关电源也已经商品化。同时，晶体管还被广泛的应用于中小功率电机变频调速、不间断电源（UPS）、激光电源、功率超声电源、高频电子镇流器、中高频电子变频器等。但因功率晶体管存在着二次击穿、不易并联以及开关频率仍然偏低等问题，它的应用上受到了限制。 (3) 功率场效应管 到70年代后期，功率场效应管（Power MOSFET）开始进入了实用阶段，这标志着电力半导体器件在高频化进程中的一次重要进展。进入80年代,人们又在降低器件的导通电阻、消除寄生效应、扩大电流和电压容量以及驱动电路集成化等发面进行了许多的研究，并且取得了很大的进展。功率场效应管中应用最广的是电流垂直流动结构的器件（VDMOS）。它具有工作频率高（几十千赫兹至数百千赫兹，低压管可达兆赫兹）、开关损耗最小、安全工作区宽（几乎不存在二次击穿问题）、漏极电流为负温度特性（易并联）、输入阻抗高等优点，是一种场控自关断器件，是目前