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维修电工技师培训 ——电力电子技术知识 考点1、应用电力电子器件的系统组成 电力电子器件的分类 考点2、常见电力电子器件介绍（重点） 电力二极管(Power Diode)(不可控器件) 晶闸管（半控型器件） 晶闸管SCR（ Silicon Controlled Rectifier） 又称：晶体闸流管(Thyristor)， 可控硅整流器 晶闸管的结构和工作原理 1、引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端； 晶闸管的结构和工作原理 2、晶闸管的内部结构 它是四层三端元件，四层为P1、N1、P2、N2（见图）；三端为阳极A、阴极K、门极G （控制极）。 在电路中的符号： 晶闸管的结构和工作原理 二、晶闸管的工作原理 1、晶闸管导通关断条件(以晶闸管和灯泡串联电路分析) 晶闸管的结构和工作原理 实验分析： 当SCR的阳极和阴极电压UAK<0，即EA下正上负，无论门极G加什么电压，SCR始终处于关断状态； UAK>0时，只有EGk>0，SCR才能导通。说明SCR具有正向阻断能力； SCR一旦导通，门极G将失去控制作用，即无论EG如何，均保持导通状态。SCR导通后的管压降为1V左右，主电路中的电流I由R和RW以及EA的大小决定； 晶闸管的结构和工作原理 实验分析： 当UAK<0时，无论SCR原来的状态，都会使R熄灭，即此时SCR关断。此外，在主电路电流I逐渐降低（通过调整RW）至某一个较小数值时，刚刚能够维持SCR导通。如果继续降低I ，则SCR同样会关断。该小电流称为SCR的维持电流。 晶闸管的结构和工作原理 导通条件： （1）主回路加正向偏置电压； （2）控制回路加正向偏置电压 （门极为正、阴极为负）。 两者缺一不可。 （该特点和三极管类似，门极信号相当于三极管的基极信号，只是驱动信号不同。） 晶闸管的结构和工作原理 关断条件： 主回路电流小于维持电流IH （或等于零） 管子一旦导通，控制极就失去了控制作用，欲关断晶闸管只能靠给阳极施加反向电压或设法使主回路电流减小到维持电流IH以下时管子关断。 由此可见：晶闸管的控制极只能控制管子导通而不能控制管子关断。这是晶闸管和三极管的主要区别。 晶闸管的结构和工作原理 2、晶闸管工作原理(从物理结构分析其内在原因) 晶闸管的派生器件 双向晶闸管： 触摸式调光台灯 典型全控型器件 既可以控制其导通又可以控制其关断的器件称为全控型器件。 例如：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（电力MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT或IGCT）是其典型代表。 门极可关断晶闸管（GTO） 门极加负脉冲可使其关断。优点是容量较大，但其它性能较差。因而在兆瓦级以上的大功率场合应用。 1、GTO结构及工作原理 GTO结构和普通晶闸管相似，也是四层三端元件；不同的是，其内部分为数十个小GTO单元，这些小GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起。这种特殊结构是为了便于实现门极关断而设计的。 GTO的多元结构除对关断有利外，使开通过程更快，承受的di/dt（过电流）能力更强。 电力晶体管（GTR） 电力晶体管(巨型晶体管)，是一种耐高压，耐大电流的双结型晶体管（BJT）。GTR 和 BJT 是等效的。GTR主要是在中、小功率范围取代晶闸管，目前，又被绝缘栅极晶体管和电力场效应管取代。 GTR的结构及工作原理与普通的晶体管类似，不再详述。主要特性是耐高压，电流大，开关特性好。(开关时间在几微秒以内，比GTR，GTO都短很多） 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，非损坏性的，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 电力场效应晶体管（MOSFET） 同小功率场效应管类似，电力场效应管也分为结型和绝缘栅型两种，使用较多的是绝缘栅型场效应管，简称MOSFET。 MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的。 具有以下特点： 驱动电路简单，驱动功率小； 开关速度快，工作频率高。 不足：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10KW的装置上。（50A／500 V，100kHz） 电力场效应晶体管（MOSFET） 1、电力MOSFET的结构和工作原理 导电原理和小功率MOS管类似，只是小功率MOS管的导电沟道是平行于芯片表面，为横向导电器件。而MOSFET采用垂直导电结构，所以又称为VMOSFET，这样大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 电力