安全检测技术-3传感器基础（下）.pptVIP

物性传感器 3.3.4 霍尔传感器 霍尔效应 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 霍尔效应原理 霍尔元件的主要功能 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比，可测电流或能转换成电流的非电量 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比，可测磁场（感应）强度，并得到电流值，如钳形表，雷电流测量 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比，利用这种乘法关系，可制成模拟运算的乘法、开方、平方、除法等运算器。 测量以上电量时，应在没有外磁场和室温变化条件下进行。 霍尔元件的结构和基本电路 图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1-1’电极用于加控制电流，称控制（激励）电极。另一对2-2’电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极或霍尔电极。在基片外面用非磁性金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。 N型硅灵敏系数、温度特性线性度较好，常用，还有锑（砷）化铟 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 霍尔元件的结构和基本电路 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间