408nm_InGaNGaN_LED的材料生长及器件光学特性.pdfVIP

下载本文档

6
0
约 4页
2017-09-20 发布于广东
举报
版权申诉

408nm_InGaNGaN_LED的材料生长及器件光学特性.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

LED结构设计

第卷第期半导体学报年月的材料生长及器件光学特性王晓华展望刘国军长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春摘要通过提高量子阱结构的生长温度降低量子阱组分的掺入效率提高量子阱结构生长质量缩短输出波长等手段实现了紫光高效率输出采用高分辨率射线双晶衍射扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长多量子阱的结构和光学特性封装后的器件在的注入电流下输出功率为输出波长为关键词量子阱中图分类号文献标识码文章编号实现高亮度的白光输出虽然目前紫外波段引言取得很大进展但是由于生长技术方面的限制实现由于以族氮化物为主的第三代半导体材料及高效率紫外波段比较困难而在波长等器件的技术上的突破并迅速产业化科学工范围内采用低组分的作为量子