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触摸屏制造工艺实战与难点
李星
[二]ITO 图形制备工艺
透明导电氧化物薄膜主要包括号 In、Zn、Sb 和 Cd 的氧化物及其复合多元
氧化物薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低,对紫
外线的吸收率大于 85%,对红外线的反射率大于 70%等特性。透明导电薄膜
以掺锡氧化铟(Indium TinOxinde)ITO 为代表,广泛地应用于平板显示、
太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域,它的特性是当厚度
降到 1800 埃 (1 埃 =10- 10 米 )以下时会突然变得透明, 透光率为 80
%,再薄下去透光率反而下降,到 300 埃厚度时又上升到 80%。ITO 是所
有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料,实际上电阻和电容
技术触摸屏的工作面就是 ITO 涂层。
一、ITO 的特性
ITO 就是在 In2O3 里掺入 Sn 后,Sn 元素可以代替 In2O3 晶格中的 In 元素
而以 SnO2 的形式存在,因为 In2O3 中的 In 元素是三价,形成 SnO2 时将贡
献一个电子到导带上,同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴,形成 1020 至
1021cm-3 的载流子浓度和 10 至 30cm2/vs 的迁移率。这个机理提供了在
10-4Ω.cm 数量级的低薄膜电阻率,所以 ITO 薄膜具有半导体的导电性能。
目前 ITO 膜层之电阻率一般在 5*10-4 左右,最好可达 5*10-5,已接近金属
的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征 ITO 的导电性能,ITO 膜之
透过率和阻值分别由 In2O3 与 Sn2O3 之比例控制,增加氧化锢比例则可提
高 ITO 之透过率,通常 Sn2O3: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过 200Å
时,通常透明度已不够好--虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经 ITO 脱层的情形,其中 d 为膜厚,I 为电流,L1 为在
电流方向上膜厚层长度,L2 为在垂直于电流方向上的膜层长主,当电流流
过方形导电膜时,该层电阻 R=PL1/dL2 式中 P 为导电膜 之电阻率,对于给
定膜层,P 和 d 可视为定值,P/d,当 L1=L2 时,其正方形膜层,无论方块
大小如何,其电阻均为定值 P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中 R□
单位为:奥姆/□(Ω/□),由此可所出方块电阻与 IOT 膜层电阻率 P 和 ITO
膜厚 d 有关且 ITO 膜阻值越低,膜厚越大。
ITO 膜层的电阻对高温和酸碱比较敏感,因为通常的电子产品生产工艺中要
使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在 300°C *30min 的环境中,
会使 R□增大 2-3 倍,而在 10wt%NaOH*5min 及 6wt%HCL*2min(60°C)下
也会增到 1.1 倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱
的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
ITO 膜在电子行业应用中,除了作为电子屏蔽、紫外线吸收阻断、红外线
反射阻断等应用外,还有一大应用就是在平板显示器领域作为透明电极线
路使用,利用 ITO 膜制作透明 电极线路的方法主要为化学蚀刻、激光刻蚀
两种。
二、ITO 膜的制作方式
1、真空磁控溅射镀膜。
ITO 磁控溅射示意图
溅射过程中,在高氧流量的情况下,从靶材中轰击出的金属 In、Sn 原子在真空室内或衬底表面能
充分和氧反应生成 In2O3 和 SnO2
2、真空蒸镀。
上世纪八十年代初的技术,基本已淘汰。
3、溶胶-凝胶法
这种方式不适合用于量产,目前仅用于一些科研机构分析使用。
4、丝印或喷墨打印法
目前仅日本住友有丝印法的实用技术,用于该公司自有产品上使用,据说
品质上要比传统方式好些。一般微晶 ITO 粉剂制剂用丝印方式生产较合理,
纳米级 ITO 粉剂制剂则可以使用喷墨找印法。
这种方式无疑在生产效率上是最高的,在绝大部分场合,省去了后面的刻
蚀工序,直接生产所需要的 ITO 透明 电极图形,是以后的主要
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