掺镧的钛酸锶薄膜的阻变性能研究分析论文.doc

毕业论文 题 目：掺镧的钛酸锶薄膜的阻变性能研究 目 录 摘要…………………………………………………………………………………………1 Abstract……………………………………………………………………………….………1 关键词………………………………………………………………………………...………1 Keywords………………………………………………………………………………..……1 1 绪论………………………………………………………………………………………2 1.1 存储器概论…………………………………………………………………………2 1.2 阻变式存储器……………………………………………………….………3 1.3 RRAM阻变材料的种类……………………………………………………………4 2 RRAM阻变机制………………………………………………………………………… 2.1存储机理…………………………………………………………………………… 2.1.1 细丝理论……………………………………………………………………5 2.1.2 SCLC理论………………………………………………………………..…6 2.1.3 S-V理论……………………………………………………………………8 2.1.4 普尔-法兰克效应………………………………………………………..…9 2.1.5 肖特基发射效应…………………………………………………………..10 2.2 RRAM器件结构…………………………………………………………………11 3 掺镧的钛酸锶薄膜的制备……………………………………………………….…12 3.1钛酸锶简介………………………………………………………………………12 3.2制备方法……………………………………………………………………………1 3.3溶胶-凝胶法制备La:STO薄膜……………………………………………………13 3.3.1 制备原理…………………………………………………………………13 3.3.2 掺杂LaSrTiO3前驱体溶液配置…………………………………………1 3.3.3 实验所需设备……………………………………………………………13 3.3.4 薄膜样品制备………………………………………………………..……15 4 薄膜的测试…………………………………………………19 4.1 掺杂La:SrTiO3的结构表征………………………………………………………19 4.2 La:SrTiO3的电学性质的测量………………………………….......................……20 4.3 La:SrTiO3的阻变性质的机制分析……………………………….......................…21 4.4 Unipolar→Bipolar机制分析………………………………………….................…21 5 总结………………………………………………………………………….............……22 参考文献………………………………………………………………………................…23 致谢…………………………………………………………………………………………25 掺的钛酸锶薄膜的阻变性能研究摘要：随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限，下一代非挥发性存储器的开发研制受到人们极大地关注。人们相继开发出多种新型非挥发性存储器，其中阻变式存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性非挥发存储器。相比其他非挥发存储器，阻变式存储器以其低操作电压、低功耗、高写入速度、耐擦写、非破坏性读取、保持时间长、结构简单、与传统CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺相兼容等优点而被广泛研究成为目前新型存储器的一个重要研究方向。本文重点通过典型阻变材料掺的钛酸锶薄膜的溶胶凝胶法制备和其阻变性能测试结果，并介绍目前关于RRAM机理的一些理论模型(导电细丝(filament)、空间电荷控制电流效应(SCLC)、、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool - Frenkel) )及其集成技术，展示钛酸锶材料在制造RRAM所具有的巨大潜力。 关键词：阻变存储器;钛酸锶;溶胶-凝胶法 Resistance switching characteri