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一、 半导体物理基础知识 1. 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。表1-1给出以电阻率来区分导体，绝缘体和半导体的大致范围。 物体 导体 半导体 绝缘体 电阻率 Ω· CM 10e-4 10e-3~10e9 10e9 2. 几种常见元素的原子结构 硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如图1所示 图1 3. 单晶和多晶 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 4. 硅晶体的金刚石结构 晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。图2表示一些重要的晶胞 图2 金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成（见图3）。 图3 5. 晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。图1.2-5是几种常用到的晶面和晶向。 111晶向 110晶向 100晶向 图4 比较简单的一种包含原子密排面的晶格是面心立方晶格。而金刚石晶格又是两个面心立方晶格套在一起，相互之间。沿着晶胞体对角线方向平移1/4而构成的。我们来看面心立方晶格中的原子密排面。按照硬球模型可以区分在 100 110 111 几个晶 面上原子排列的情况，如图4所示。 金钢石晶格是由面心晶格构成，所以它的 111 晶面也是原子密排面，它的特点是，在晶面内原子密集、结合力强，在晶面之间距离较大，结合薄弱，由此产生以下性质： a 由于 111 密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着 111 晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。 b 由于 111 密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而 100 面原子排列密度比 111 面低。所以 100 面比 111 面的腐蚀速度快，选择合适的腐蚀液和腐蚀温度， 100 面腐蚀速度比 111 面大的多，因此，用 100 面硅片采用这种各向异性腐蚀的结果，可以使硅片表面产生许多密布表面为 111 面的四面方锥体，形成绒面状的硅表面。 6.半导体之所以得到广泛的应用，是因为它存在着一些导体和绝缘体所没有的独特性能。 1 导电能力随温度灵敏变化 导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，（导体温度每升高一度，电组率大约升高0.4%）。而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273℃）时，则成为绝缘体。 2 导电能力随光照显著改变 当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。 3 杂质的显著影响 在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万的增加。这是最特殊的独特性能。 4 其他特性 温差电效应，霍尔效应，发光效应，光伏效应，激光性能等。 7. 半导体中的“电子”和“空穴” 1 本征半导体 纯净的半导体，在不受外界作用时，导电能力很差。而在一定的温度或光照等作用下，晶体中的价电子有一部分可能会冲破共价键的束缚而成为一个自由电子。同时形成一个电子空位，称之为“空穴”。从能带图上看，就是电子离开了价带跃迁到导带，从而在价带中留下了空穴，产生了一对电子和空穴。通常将这种只含有“电子空穴对”的半导体称为本征半导体。“本征”指只涉及半导体本身的特性。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的，因此，电子和空穴被统称为载流子。 2 产生和复合 由于热或光激发而成对地产生电子空穴对，这种过程称为“产生”。空穴是共价键上的空位，自由电子在运动中与空穴相遇时，自由电子就可能回到价键的空位上来，而同时消失了一对电子和空穴，这就是“复合”。在一定温度下，又没有光照射等外界影响时，产生和复合的载流子数相等，半导体中将在产生和复合的基础上形成热平衡。此时，电子和空穴的浓度保持稳定不变，但是产生和复合仍在持续的发生。 3 杂质和杂质半导体 纯净的半导体材料中若含有其它元素的原子，那么，这些其它元素的原子就称为半导体材料中的杂质原子。对硅的导电性能有决定影