功率MOSFET驱动保护电路设计与应用.pdf

第 卷第 期 电力电子技术 f[@eMH@4 e 4 年 月 O#P% *[PWY%KJWZ )Pa%XS%\M788D 788D 7 功率#$%’( 驱动保护电路设计与应用 田 颖 陈培红 聂圣芳 卢青春 ! ! ! （清华大学，北京 488823 ） 摘 要!分析了对功率-.)*+ 器件的设计要求；设计了基于*0123 4 驱动模块的功率-.)*+ 驱动保护电 路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该 电路驱动能力及保护功能效果良好。 关键词 模块；驱动电路 功率金属氧化物场效应晶体管；保护电路 ! ; 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! +2?@4 A 4888B4880C788DE8 4B88FB87 *+,-./ 0/1 2334-506-7/ 78 97:+; #$%’( *;-+ 0/1 9;76+56-7/ =-;5-6 ?0,+1 7/ ’@ABC! +GAH IJKLM =N*H OPJ!QKLM HG* .QPKL!RSKLM TU VJKL!WQXK （ ） $%’()* +,-.%#/M 0-1 ’ 488823M 2(* 2?,6;056D /QP SXYQ%Z SKS[\]P YQP :PZJLK %P^XPZY R _#P% -()*+ :P‘JWP@ -K YQP aSZJZ R YQP SKS[\ZJZ YQP _#P% -.)*+ :%J‘P SK: _%YPWYJK WJ%WXJY aSZP: K *0123 4 #SZ :PZJLKP:@+QP WJ%WXJYZ #SZ WQS%SWYP%J]P: a\ ZJb_[P ZY%XWYX%PM #P[[ S__[JWSYJK SK: ^XJWc %PZ_KZP@GYZ _%SWYJWS[ S__[JWSYJK Y YQP PdWJYSYJK #JK:JKL :%J‘P WJ%WXJY R P::\ WX%%PKY :\KSbbPYP% _%‘P: YQSY YQP :%J‘P WS_SaJ[JY\ SK: _%YPWYJKL RXKWYJK SWQJP‘PZ #P[[ %PZX[YZ@ E+F :7;1,D b:X[P5 :%J‘P WJ%WXJY G _#P% ,-.)*/5 _%YPWYJK WJ%WXJY 栅源间的阻抗过高，则漏 源间电压的突变会通过 ! 引 言 ! ! 极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅 源尖峰电 功率场效应晶体管（ ）是一种多 ! !#$% ’()*+ 压。这一电压会使栅源氧化层击穿，造成永久性损 数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速 !