硫化處理銅鋅錫硫化物(Cu2ZnSnS4) 薄膜太陽電池材料之探索研究.pdfVIP

國立高雄海洋科技大學學報 第二十五期 63 硫化處理銅鋅錫硫化物(Cu ZnSnS )薄膜 2 4 太陽電池材料之探索研究 葉旻彥、黃于峯 國立高雄海洋科技大學 微電子工程系 Department of Microelectronics Engineering National Kaohsiung Marine University Email : minyen@.tw 摘 要 本研究主要探討硫化製程處理銅鋅錫硫化物(Cu ZnSnS )薄膜太陽能電池之材料，由於 2 4 銅鋅錫硫化物(Cu ZnSnS )薄膜為p 型直接能隙半導體，且具有低成本、無毒性、材料來源 2 4 充足及其能隙值(~1.5ev)適合於薄膜太陽能電池吸收層之使用等優點，因此非常適合於薄 膜太陽能電池之應用。本研究主要的製備方式為溶膠-凝膠法(sol-gel)沉積Cu ZnSnS 薄膜 2 4 太陽能電池材料，並針對不同硫化製程條件，分析Cu ZnSnS 薄膜之結構及其光電特性， 2 4 探討不同硫化製程對 Cu2ZnSnS4 薄膜特性之影響，以不同的溫度進行銅鋅錫硫化物 Cu ZnSnS 薄膜的硫化製程後，我們發現Cu ZnSnS 薄膜隨著硫化處理溫度的提昇而有較 2 4 2 4 好的結晶特性。 關鍵字: 溶膠-凝膠法；銅鋅錫硫化物；薄膜太陽能電池；硫化製程。 64 硫化處理銅鋅錫硫化物(Cu ZnSnS )薄膜太陽電池材料之探索研究 2 4 Abstract In this work, the processes of sulfurization of Cu ZnSnS (CZTS) thin films used for solar 2 4 cells are investigated. CZTS is a kind of p-type semiconductor with a direct band gap of ~1.5 eV. It is of low cost, non toxic, and abundant, and suitable to be applied for solar cells. The CZTS thin films were prepared by sol-gel deposition. It was treated with sulfurization under different process parameters, and its structure, optical, and electrical properties with respect to sulfurization temperatures are analyzed. It is found that the crystalline properties of the CZTS