一种典型半导体材料—SiC.pptVIP

School of information Science Engineering SHANDONG UNIVERSITY CHINA SiC半导体材料 目录 1.SiC材料的简介 2.SiC衬底的制备 3.SiC外延制备方法 4.SiC光电器件的简介 5.SiC紫外探测器的制备 6.SiC光电器件的前景 1.SiC材料的简介 随着第一代和第二代半导体材料发展的成熟，其器件应用也趋于极限。现代科技越来越多的领域需要高频率，高功率，耐高温，化学稳定性好的第三代半导体。而作为第三代半导体优秀代表的 SiC（silicon carbide），越来越多得受到人们的关注。 2.SiC材料的简介 唯一的固态的IV-IV化合物 天然的超晶格结构、同质多型体。 目前已发现200多种结构，属于三个晶系：立方（cubic）、六方（hexagon）和斜方（rhombus），常见的主要是3C-SiC、 6H-SiC和4H-SiC。 可热氧化，但氧化速率远低于Si 2.SiC衬底的制备 SiC单晶衬底： 本征型、N型掺杂、P型掺杂。 N型掺杂 ：氮N P型掺杂：铝Al、硼B、铍Be、镓Ga、氧O。 2.SiC衬底的制备 物理气相传输法（?PVT，physical?vapor?transport）又称升华法，又称改良的Lely法，是制备SiC等