半导体与超晶格的数学模型及其分析II：分析.pdfVIP

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2017-09-17 发布于安徽
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半导体与超晶格的数学模型及其分析II：分析.pdf

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维普资讯第32卷第2期数学进展 Vo1．32，No．2 2003年4月 ADVANCES IN M ATHEM ATICS April，2003 On M athem aticalM odelling and Analysis in Sem iconduc：toorrssaand SupeerrllaattttliCceess PartII：Analysis XIAO Ling ， QIUYou-chun2， ZHANG Kai-jun3，4料 (1．AcademiaofMathematicsandSystem Sciences，CAS，Beijin9，100080，P．R．China；2．MIP，CNRS， UMR 5640，UniversitdPaulSabatier，31062ToulouseCedex04，France；．Dept．ofMath．，NortheastNormal Univ．，Changchun，Jilin，130024，P．R．China；．Institut rMathematik，UniversiffitWien，Strudlhofgasse ， A一1090Wien，Austria) A bstract： In this articlewe firstintroduce the relevant compensated compactness framework on theEulerequationsforan isentropiccompresssiblefluid．Then somerecent mathematicalresultsbased on the methods ofcompensated compactness to thehydrody— namicmodelofrsemiconductors suchasglobalweaksolutionsand relaxationlimitsas wellas quasineutral—relaxation limitsarereviewed． K ey words： sem iconductorhydrodynam icmodel；compensated compactness；weak solutions；aymptoticlim its MR(1991)SubjectClassification：82D37；35Q35；35L65／CLCnumber：O175．29； o175．21 Documentcode：A ArticleID：1000-0917(2003)02—0166-19 1 Introduction In fact．themacroscopicsemiconductordevicemodellingaroseintheearlyfiftieswhenthe Van Roosbrocck drift—diflusion equationsweresetforth and formulated[71j ． Immediatelythese equationsbecamethemostpopularmodelforthesimulationofsemiconductordevicesduetoits providingofamucheasierandcheaperapproach tothecomputationalproblemsinapplications instead ofthem icroscopicmodel，e．g．．thesemiconductorBoltzma