脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析.pdfVIP

　第 25 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 25, . 12 V o l N o 　2004 年 12 月 . , 2004 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S D ec 脊形结构 GaN 蓝光激光器的热模拟分析 叶晓军　种　明　陈良惠 ( 中国科学院半导体研究所, 北京　100083) 摘要: 利用二维热传导模型分析了 GaN 激光器的温度特性. 计算了有源区在连续工作条件下的最大温升, 分析了 激光器工作时的功率密度和p 电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响. 模拟结果表明, 采用不同衬底和不同 装配形式对器件温度特性的影响很大, 正装形式下, 窄的脊形条宽能提高器件的高温工作稳定性. 关键词: 半导体激光器; GaN ; 热模拟; 热阻 : 6780 ; 7280 ; 8220 PACC G E W 中图分类号: TN 2484　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 (2004) C 为单位体积物质的比热; K 为热传导系数; g 为单 1　简介 位体积热产生率. 模拟所采用结构模型见图 1. 假定 各层外延片是均匀的, 外延层之间的温度函数满足 GaN 基蓝紫光激光器是高密度光存储系统中 温度连续分布和热流连续两个条件, 表示成下面两 最有希望的光源. 目前利用 In GaN 多量子阱结构已 式: 经实现了 400～ 430nm 波段的室温连续激射激光 T i = T i+ 1 (2) 器. 但是蓝紫光激光器要在高密度光存储系统中被 T i T i+ 1 K i = K i+ 1 (3) 广泛采用还有一些障碍, 除了激光光斑低远场发散 x x = x i x x = x i+ 1 角纵横比以及基横模工作的实现问题之外, 可靠性 　　模拟中热沉的边界采用恒温近似; 对其他边界, 也是一个重要方面. 在光存储系统应用中, 要求激光 由于管芯内产生的热量主要都传到热沉上, 管芯与 器能工作在 0～ 80 ℃之间. 通过改善激光器的温度 周围空气相交换的热量很小, 因此可以认为边界绝 [ 1 ] 特性 能确保器件实现高温下稳定工作, 真正达到 热条件成立 实用化水平.