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第3 章　光电导探测器的应用 　　光电导探测器， 又称光敏电阻， 是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。 所谓光电导效应， 是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。 　　光电导探测器具有体积小、 可靠性好、 灵敏度高及光谱特性好等特点， 适用于照相机自动 测光、 光电控制、 光控电子设备、 自动化装置、 光控开关及电子玩具等方面。 　　3畅1　光电导探测器的工作原理 　　外观上， 光敏电阻有两个引脚， 端面为光敏面。 各类封装的光敏电阻实物外形图如图３－１ 所示。 　　在外界照明发生改变时， 用万用表测量光敏电阻的电阻值发生变化， 如图３－２所示。 图3 －1　光敏电阻外形图 图3 －2　万用表测量光敏电阻的电阻值 　　实验时， 用手挡光， 记录光敏电阻的阻值R 。 然后不挡光， 记录光敏电阻的阻值R 。 比 １ ２ 较二个阻值， R 大于R 。 １ ２ 　　在外界照明发生改变时， 观察ＬＥＤ 发光亮度的变化， 如图３－３所示。 　　实验时， ＬＥＤ 发光二极管、３Ｖ 电池与光敏电阻串接， 用手挡光， 观察ＬＥＤ 灯发光亮度的 变化。 当有手挡光时， 光敏电阻阻值变大， 电流变小， ＬＥＤ 发光亮度减少， 实现了对 ＬＥＤ 发 光的控制。 　　光敏电阻这种随光照变化、 发生电阻阻值变化的现象是由半导体材料的光电导效应引 起的。 　　自然界的物质， 按导电能力的强弱可分为导体、 绝缘体和半导体三类。 物质的导电能力可 · 30 · 　第３章　光电导探测器的应用 图3 －3　光控LED 发光 以用它的电阻R 或电阻率ρ来衡量。 　　导电能力很强的物质称为导体， 导体原子最外层的电子受原子核的束缚作用很小， 在外电 －８ －６ 场的作用下可以沿外电场相反的方向移动， 导体的电阻率 ρ一般在 １０ ～１０ Ω· ｍ 之间。 　　绝缘体是导电能力极弱的物质。 这种物质的核外电子被束缚得很紧， 外电场不能令其自由 ８ １８ 移动。 绝缘体的电阻率在 １０ ～１０ Ω· ｍ 之间。 －５ ６ 　　半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质， 其电阻率在 １０ ～１０ Ω· ｍ 之间。 如 硅、 锗、 硒、 砷化镓等都属于半导体。 　　常见材料的电阻率见表３－１。 表3 －1　常见材料电阻率 物质 铜 铁 锗 硅 玻璃 电阻率／（Ω· ｍ） －８ －７ －１ ２ １０ １４ １畅７×１０ １畅０×１０ ４畅６×１０ ６畅４０×１０ １０ ～１０ 　　当光照射到半导体材料时， 材料吸收光子的能量， 使非传导态电子变为传导态电子， 引起 载流子浓度增大， 因而导致材料电导率增大。 这就是光电导效应。 　　本征半导体受光照时， 当光子能量大于材料禁带宽度时， 把价带中的电子激发到导带， 在 价带中留下自由空穴， 从而引起材料电导率的变化， 称为本征光电导效应。 　　从能带论的观点出发， 本征半导体中电子状态的分布如图３－４所示。 常温下低能带基本 上为价电子所填充， 称为阶带， 价带顶的能级为EＶ 。 高能带中的状态则空着， 称为导带， 价 带底的能级为E 。 阶带与导带之间被宽度为E 的禁带所隔离。 有光照等情况时， 满带中会有 Ｃ ｇ 少量电子被激发到上面的空带中去。 　　当价带中的电子吸收了能量大于禁带宽度的光子就能够跃迁到导带中， 在价带中留下自由 空穴， 从而引起材料电导率的变化。 　　对 Ｎ 型半导体， 以硅掺磷为例， 讨论Ｖ