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第28卷 第2期 固体电子学研究与进展 V o l. 28,N o. 2
2008 年6 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE J un. , 2008
器件物理与器件模拟
界面热应力对 键合质量的影响
In P Si
刘志强 王良臣 于丽娟 郭金霞 伊晓燕 王立彬 陈 宇 马 龙
( 中科院半导体研究所集成技术中心, 北京, 100083)
收稿, 2006092 1 收改稿
摘要: 通过实验和理论计算, 分析了 键合过程中, 界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因
InP Si
素及退火温度的允许范围。分析结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合
失败的主要原因, 为保证良好的键合质量, 键合退火温度应该在 300～ 350 ℃范围内选取。具体实验验证表
InP Si
明, 该理论计算值与实验结果相一致。最后, 在300 ℃退火条件下, 很好地实现了2 晶片键合, 红外图像显
in InP Si
示, 界面几乎没有空洞和裂隙存在, 有效键合面积超过90% 。
关键词: 磷化铟硅; 键合; 界面热应力; 退火温度
中图分类号: TN 305 文献标识码: A 文章编号:(2008) 0217204
Ef f ect of In terfac ia l Therma l Stresses on the Qua l ity
of InP SiW af er Bon d in g
L IU Zh iq ian g W AN G L ian gch en YU L iju an GU O J inx ia Y I X iaoyan
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( , , , 100083, )
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