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Nand flash工作原理 S3C2410板的Nand Flash支持由两部分组成：Nand Flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和Nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。当要访问Nand Flash中的数据时,必须通过Nand Flash控制器发送命令才能完成。所以, Nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 1.1 Nand flash芯片工作原理 Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B，数据存储容量为64MB，采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。 1.1.1 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为： 1设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1块(Block) = 32页/行(Pages/rows) ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1块(Page) = 528字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB块大小(16Bytes) 在每一页中，最后16个字节（又称OOB）用于Nand Flash命令执行完后设置状态用，剩余512个字节又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。 存储操作特点： 1. 擦除操作的最小单位是块。 2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1). 3. OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块。 4. 除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码(关于硬件ECC码请参看Nandflash 控制器一节). 1.1.2 重要芯片引脚功能 I/O 0I/O7：复用引脚。可以通过它向nand flash芯片输入数据、地址、nand flash命令以及输出数据和操作状态信息。 CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许 ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许 CE:芯片选择 RE:读允许 WE:写允许 WP:在写或擦除期间，提供写保护 R/B:读/忙输出 1.1.3 寻址方式 Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26位地址形式。从第0位开始分四次通过I/O 0－I/O7进行传送，并进行片内寻址。具体含义如下： 0－7位：字节在上半部、下半部及OOB内的偏移地址 8位：值为0代表对一页内前256个字节进行寻址值为1代表对一页内后256个字节进行寻址 9－13位：对页进行寻址 14－25位：对块进行寻址 当传送地址时,从位0开始 1.1.4 Nand flash主要内设命令详细介绍 Nand Flash命令执行是通过将命令字送到Nand Flash控制器的命令寄存器来执行。 Nand Flash的命令是分周期执行的，每条命令都有一个或多个执行周期，每个执行周期都有相映代码表示该周期将要执行的动作。 主要命令有：Read 1、Read 2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status。 详细介绍如下： 1. Read 1： 功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的前半部分，并且将内置指针定位到前半部分的第一个字节。 命令代码：00h 2. Read 2： 功能：表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的后半部分，并且将内置指针定位到后半部分的第一个字节。 命令代码：01h 3. Read ID： 功能：读取Nand flash芯片的ID号 命令代码：90h 4. Reset： 功能：重启芯片。 命令代码：FFh 5. Page Program： 功能：对页进行编程命令, 用于写操作。 命令代码：首先写入00h(A区)/01h(B区)/05h(C区), 表示写入那个区; 再写入80h开始编程模式(写入模式)，接下来写入地址和数据; 最后写入10h表示编程结束. 6. Block Erase 功能：块擦除命令。 命令代码：首先写入60h进入擦写模式，然后输入块地址; 接下来写入D0h, 表示擦写结束. 7. Read Status 功能：读取内部状态寄存器值命令。 命令代码：70h 1.2 Nand Flash 控制器工作原理 对Nand Flash存储芯片进行操作, 必须通过Nand Flash控制