模拟电子技术基础--第1章--常用半导体器件.pptVIP

第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 作业 1.2（一个二极管的计算，二极管的直流模型） 1.3（一个二极管的计算，二极管的直流模型） 1.4（二极管的交流模型） 1.6（稳压管的计算） 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 空穴 直接描述束缚电子的运动不太方便 用我们假想的（自然界不存在的）、带正电的、与束缚电子反方向运动的那么一种粒子来描述束缚电子的运动比较方便，这种粒子起名叫做“空穴” 3、本征半导体中的两种载流子 半导体导电的两个方面 自由电子的运动 束缚电子的运动 半导体中的载流子 自由电子 空穴 二、杂质半导体 1、 N型半导体 2、 P型半导体 杂质半导体虽然比本征半导体中的载流子数目要多得多，导电能力增强，但是也并不能象导体那样被用来传导电能，而是用来形成PN结 电流的参考方向的定义 电流的真实方向的定义 载流子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动。形成的电流称为扩散电流。 扩散电流的真实方向：P指向N 电流的参考方向的定义 电流的真实方向的定义 少子在内电场的作用下产生的运动称为漂移运动。形成的电流称为漂移电流。 漂移电流的真实方向： N指向 P PN结正偏、反偏的定义 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性 四、PN结的电流方程和伏安特性 PN结两端的电压与流过PN结电流的关系式 五、PN结的电容效应 1.2 半导体二极管 一、二极管的结构 死区电压Uth 硅二极管的死区电压一般为0.5V，锗二极管的死区电压一般为0.1V。 硅二极管正向导通电压约为0.7V，锗二极管正向导通电压约为0.2V。 反向击穿电压UBR 。 温度对二极管的伏安特性的影响 当温度升高时，二极管的伏安特性曲线左移。当温度降低时，二极管的伏安特性曲线右移。 二极管的电阻 （一）二极管的直流电阻rD （二）二极管的交流电阻rd 五、二极管的主要参数 (一) 最大整流电流IF 二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。 (二) 反向击穿电压UBR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。 (三)最大反向工作电压URM 指管子允许施加的反向电压最大值。UBR=2URM (四)反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 三、二极管的等效电路 二极管（非线性）的电阻的定义 （一）二极管的直流电阻rD （二）二极管的交流电阻（动态电阻）rd 二极管的模型（等效电路） （一）直流模型 （1） 直流理想模型 （2） 直流恒压降模型 （3）直流折线模型 （4） 直流指数模型 （二）交流小信号模型 （一）直流模型 （1）直流理想模型 （2）直流恒压降模型 （3）直流折线模型 （4）直流指数模型 （1）直流理想模型 正偏时导通，管压降为0V，电流决定于外电路。反偏时截止，电流为0，两端电压决定于外电路 （2） 直流恒压降模型 （3）直流折线模型 （4） 直流指数模型 （二）交流小信号模型（小信号模型） 应用举例 一、用二极管直流模型来分析电路 二、用二极管交流模型来分析电路 （一）用二极管直流模型来分析电路 例1 求电路的ID和UD ，已知R=10K 在两种情况下计算: （1） UDD =10V （2） UDD =1V 讨论 解题思路 1、将二极管从电路中拿走，在此电路的基础上求两个二极管的阳极和阴极之间的电位差 2、两个二极管的阳极和阴极之间的电位差共有三种情况： 1）均小于0 2）均大于0 3）一个为正，另一个为负 3、根据不同的情况做出判断： 1）均小于0 ：立即得出结论，两个二极管均截止 2）均大于0：这其中会有一大一小，可以得出结论，大的那个二极管一定导通，小的那个状态不定，需要做进一步的判断。大的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。 3）一个为正，另一个为负：正的那个二极管一定导通，负的那个状态不定，需要做进一步的判断。正的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 五、稳压二极管 稳压二极管的主要参数 (1) 稳定电压UZ ：在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。